三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來。
三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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三星 V-NAND
不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產能提升20%，明年4月量產，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。
這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。
研究機構統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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半導體 NAND
單片機的選型是一件重要而費心的事，如果選型得當，則做出來的產品就會性價比較高，且工作穩(wěn)定;反之，則可能會造成產品成本過高或影響產品正常運行，甚至可能根本就達不到預先設計要求。
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單片機 MCU 內存 FLASH 編譯器
據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內存供應商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
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IHS NAND
據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
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IHS SSD NAND HDD
據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是，盡管對芯片產業(yè)2013年增長的預期落空，但明年的前景要光明得多。
SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計，2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設備營收將猛增21%。
當然，SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
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芯片制造 NAND
根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預計芯片制造設備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。
這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費類電子產品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。
不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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芯片制造 NAND
導語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機市場的需求趨于飽和，曾經推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。
以下為文章全文：
重新掌握主動
隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場
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DRAM NAND
7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機需求增長，由于中國移動設備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運，開始收獲金錢了。
在高端產品領域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內存，也會刺激內存銷售的增長。
兩種趨勢之下，加上2011年以來內存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內存芯片價格已經開始回升，在廠商面前，內存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。
I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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內存芯片 NAND
基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng), 引言針對需要切換多個FPGA配置碼流的場合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲卡來替代配置用PROM,用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫，上位機軟件生成專用的ACE文件并下
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系統(tǒng) FPGA JTAG Flash 基于
飛控計算機CPU模塊的處理器通常選用PowerPC或X86系列，CPU模塊設計有專門的FLASH芯片，為保證飛控程序存放的正確無誤，F(xiàn)LASH測試必不可少。而智能接口模塊的處理器通常選用TMSF240、TMSF2812等，采用片內FLASH存放自
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FLASH TMSF 240 芯片
存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。
根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調查，由于全球4大供應商近一年來沒有擴產動作，加上制程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%，但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
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SSD NAND
據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅動器等產品中的使用擴大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
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IHS NAND
據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告，低端平板電腦市場相對強健，幫助NAND閃存產業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年營業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。
2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長17%，這是當年表現(xiàn)最好的一個季度，如圖3所示。在最后一個季度的強力推動下，2012年全年NAND營業(yè)收入達到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔憂的水平。
圖3：2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預估(以百
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NAND 平板電腦
根據(jù)Digitimes的研究報告顯示，日本前三大半導體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經提高。
其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元)，達到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經看到半導體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。
瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達到1739億日元。然而，在連續(xù)七個季度的經營虧
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瑞薩電子 閃存 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [
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