nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
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基于分塊管理和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的嵌入式Flash管理

1 引言嵌入式系統(tǒng)中通常都需要存放一些非易失性數(shù)據(jù), 并且數(shù)據(jù)量的大小和數(shù)據(jù)類型根據(jù)不同的系統(tǒng)需求差異很大。因此選取合適的存儲器是完成數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的第一步, 更重要的是使存儲系統(tǒng)長期穩(wěn)定、高效的工作, 這就必
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2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
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NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì)

NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì),引言

　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸裕跀?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。NAND Flash
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車窗控制系統(tǒng)的LIN2.1協(xié)議應(yīng)用

引言LIN協(xié)會于1999年發(fā)布了第一版LIN協(xié)議，至今已有十幾年了，在這十幾年中，LIN總線不斷發(fā)展，已經(jīng)在以車身控制為...
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基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０　引　言
現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)上在各類電子產(chǎn)品中被越來越多的應(yīng)用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)中，與ＰＣ機(jī)上通用Ｗｉｎｄｏ
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嵌入式系統(tǒng)中Flash存儲管理策略

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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半導(dǎo)體需求回溫東芝元旦假期將加班趕工

　　日本媒體報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。　　東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%

? 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營運(yùn)沒有受到影響，現(xiàn)貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機(jī)與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

摘要：在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒 ...
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提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機(jī) Flash EEPROM 德州儀器

提高 MSP430G 系列單片機(jī)的 Flash 擦寫壽命的方法

在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本
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蘋果再勝訴三星特定Galaxy產(chǎn)品在荷蘭禁售

　　11月29日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，荷蘭一家法庭周三作出了有利于蘋果的判決，責(zé)令禁止出售特定的三星Galaxy平板電腦和智能手機(jī)，因?yàn)檫@些產(chǎn)品侵犯了蘋果的專利。　　據(jù)悉，這項(xiàng)禁令適用于版本較老的三星Android設(shè)備，這些產(chǎn)品使用了通過觸摸屏將圖片拖入相冊的蘋果專利技術(shù)。法庭表示，這些2.2.1版本及以上的Galaxy設(shè)備并未使用三星更新后的“藍(lán)色閃光”(blue flash)相冊技術(shù)。　　這家荷蘭法庭在今周三作出裁決稱，如果三星拒絕執(zhí)行這項(xiàng)判決，那么就必須向蘋果支付每天
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。　　不過還是有個變通方法
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基于多端口串行Flash的條形LED顯示屏控制

摘要：為了不增加硬件成本而提高顯示數(shù)據(jù)的輸出速度，在分析現(xiàn)有條形LED顯示屏單元板電路的基礎(chǔ)上，提出了...
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]