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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

            DRAM看漲 類股營運走俏

            •   由于韓國三星半導體將七成存儲器供自家手機、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計算機、智能手機備貨潮重新啟動,存儲器近期報價緩步上揚,DDR32Gb均價每顆站上1.74美元,站上二年多來新高,相關(guān)DRAM族群營運看俏。    ?   此外,NANDFlash應用大廠群聯(lián)預期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強力貨源為后盾的廠商將受惠。   市場得知,三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后,市場備貨潮5月中旬再度啟動,讓標準型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚升,站上
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            NAND閃存深入解析

            • 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn) ...
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

            MSP430---FLASH 讀寫

            • MSP430 FLASH型單片機的FLASH存儲器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段,其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128 ...
            • 關(guān)鍵字: MSP430  FLASH  存儲器  

            DRAM漲價或提氣

            • DRAM曾是半導體業(yè)的王牌產(chǎn)品,在上世紀90年代的半導體市場上曾約占到3~4成的樣子,同時,它的加工技術(shù)、設備技術(shù)和生產(chǎn)線技術(shù)也常常主導著半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM,后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  201305  

            英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

            •   英特爾公司今天宣布,該公司董事會已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官,以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱,卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會召開之際開始履職。    ?   卡扎尼奇自2012年1月以來一直擔任英特爾首席運營官,此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時,歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。   卡扎尼奇現(xiàn)年52歲,自在1982年加盟英特爾以來,就一直擔任該公司
            • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

            64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

            •   根據(jù)行業(yè)觀察家表示,受智能手機和平板電腦強勁需求推動,64GB NAND閃存市場一直在增長,高密度芯片價格高居不下,反映當前供不應求市場狀況。   智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛,也對現(xiàn)貨市場上的芯片供應帶來了負面的影響,即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應系統(tǒng)制造商表示,許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。   供應緊張狀況,鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單,比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片,并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。   有消息表示,目
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

            產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳,共話閃存與移動技術(shù)的世紀交鋒

            • 2013年,隨著智能機平板市場繼續(xù)走熱,以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重,存儲器件的供應在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎?2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點在哪里?如何實現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應用高峰論壇,本土存儲器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量,共同應對存儲挑戰(zhàn),推進智能機平板創(chuàng)新。
            • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  BIWIN  

            第四季度NAND營業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

            • 意外!NAND閃存去年第四季度營業(yè)收入達到最高紀錄,扭轉(zhuǎn)連續(xù)下滑局面
            • 關(guān)鍵字: NAND  AMOLED  

            IHS:2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%

            •   根據(jù)市場研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報告,全球 NAND 快閃記憶體市場在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚17%,達到了56.34億美元的營收,結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。   2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達到了202.11億美元。其中,三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應商,兩家公司總共就占掉 NAND 市場三分之二的市占率。此外,美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應商。   三星在2012年第四季的
            • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

            NAND閃存去年第四季度意外增長

            •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報,2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀錄,結(jié)束了之前連續(xù)五個第四季度的下滑局面。   2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元,比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個方面來看,這種環(huán)比增長具有重要意義:一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢,二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。   三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上,名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元,
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

            2013半導體產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)溫和增長

            •   2012年半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元,相比2011年的3102.1億美元有所降低。預計2013年全球半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入增長6.4%,達到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后,預計今年半導體產(chǎn)業(yè)將溫和增長,智能終端、電視與計算等關(guān)鍵消費電子產(chǎn)品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。   智能終端   2012年半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入的下降,緣于消費者在電子產(chǎn)品上面的支出不振,尤其是電腦采購將近占到半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%,但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            延長Flash存儲器使用壽命的研究

            •   引 言   隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字攝像機、移動電話、MP3音樂播放器等移動設備中越來越廣泛的 ...
            • 關(guān)鍵字: Flash  存儲器  使用壽命  

            2012年Flash首超DRAM DRAM前途將靠移動DRAM

            • 緣于智能手機、平板電腦等移動電子設備的繼續(xù)紅火走俏,除2010年以外,F(xiàn)lash和DRAM市場規(guī)模日趨接近,再加近2年P(guān)C風光不再,致使DRAM需求疲軟,降價聲急。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  

            半導體領(lǐng)域"前淡后旺"

            •   全球半導體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年,近期在美國經(jīng)濟成長逐漸獲得改善之際,領(lǐng)域在末季看似有了復蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長,但依然不足以抵銷市場分析員對國內(nèi)半導體領(lǐng)域的消極看法。   考慮到在全球經(jīng)濟不明朗,對電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下,市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領(lǐng)域,特別是受大選情緒影響的上半年,而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何,在預計下半年經(jīng)濟大環(huán)境獲得改善的情況下,國內(nèi)半導體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢上演反
            • 關(guān)鍵字: 半導體設備  NAND  

            鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

            •   閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術(shù),裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。   TLC閃存每單元存儲3bit數(shù)據(jù),它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術(shù)。   不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場,例如SD和USB閃存驅(qū)動
            • 關(guān)鍵字: 鎂光  NAND  
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            nand flash介紹

             Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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