nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化
- FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%,看準(zhǔn)Flash商機(jī),LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展,高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導(dǎo),而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性,F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配,以2013年FlashLED市況來看,主流規(guī)
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國際廠競搶Flash LED新高地 明年恐見殺價潮
- LED產(chǎn)品價格不斷下滑,壓縮各廠獲利空間,廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外,也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存,因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場,除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外,臺廠有億光、新世紀(jì)、光寶科等業(yè)者,但近期市場傳出,韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格,計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多,估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。 消費(fèi)者對于智慧型手機(jī)要求越來越高,除處理效能要接近電腦外,就連照相功能也向
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嵌入式軟件代碼保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計
- 目前的嵌入式系統(tǒng)中, 軟件代碼一般存儲在諸如EEPROM、F lash等存儲器中, 但其中存儲的程序代碼易被讀取, 非法 ...
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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價看漲。 集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外,不僅帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格飆漲,同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。 集邦科技指出,盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象,不過,海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。 集邦預(yù)期,近期1至2個月
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基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲及管理方法研究與實(shí)現(xiàn)
- 摘要:本文設(shè)計了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲非易失性數(shù)據(jù)的方法,它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個數(shù)據(jù)分區(qū),不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲數(shù)據(jù)在不同歷史時間的拷貝,最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進(jìn)行時,計算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲位置,直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進(jìn)行時
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM 201310
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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