nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫(xiě)硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫(xiě)、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫(xiě)的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無(wú)法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過(guò)FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開(kāi)發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

布局存儲(chǔ)器封測(cè) 臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)卡位

　　存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局，今年存儲(chǔ)器封測(cè)競(jìng)爭(zhēng)卡位，勢(shì)必激烈。　　展望今年，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠集中資源開(kāi)發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測(cè)可能擴(kuò)大委外，封測(cè)臺(tái)廠考量自身發(fā)展，積極與國(guó)際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進(jìn)一步集成DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測(cè)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫(xiě)壽命的方法

在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機(jī) Flash 擦寫(xiě)壽命

武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)，是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日，武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NOR NAND 201401

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

近來(lái)在論壇總是見(jiàn)到一些菜鳥(niǎo)們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”，“我要學(xué)單片機(jī)”，“如何入門啊?”，“你們?cè)趺催@么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問(wèn)題，實(shí)在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無(wú)數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫(xiě)上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥(niǎo)們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機(jī) LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開(kāi)始之前，我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲(chǔ)器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國(guó)有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國(guó)際)經(jīng)營(yíng)管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NAND

AVR的主要特性

AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
關(guān)鍵字： AVR單片機(jī) ATMEL Flash

缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開(kāi)發(fā)方法

對(duì)FLASH存貯器單片機(jī)，不要仿真機(jī)也能方便快速地開(kāi)發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手：一、盡量使用高級(jí)語(yǔ)言開(kāi) ...
關(guān)鍵字：仿真器時(shí) avr單片機(jī) FLASH

ARM編程中Flash ROM驅(qū)動(dòng)示例

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
關(guān)鍵字： ARM編程 Flash ROM驅(qū)動(dòng)

單片機(jī)下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個(gè)字節(jié)，一條指令可能有1~4個(gè)機(jī)器碼，即1~4個(gè)字節(jié)，其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
關(guān)鍵字：單片機(jī) RAM ROM Flash

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開(kāi)始。
關(guān)鍵字：東芝嵌入式 NAND

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來(lái)實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲(chǔ)器 NAND 寄存器 201312

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]