nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

在DSP系統(tǒng)中Nand+Flash存儲(chǔ)管理的實(shí)現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲(chǔ)管理

Spansion SLC NAND應(yīng)對(duì)嵌入式閃存應(yīng)用的新要求

　　最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個(gè)單層單元（SLC）系列NAND閃存產(chǎn)品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產(chǎn)品可大致分為以下三個(gè)系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存，注重降低系統(tǒng)成本的FL-S系列串行NOR閃存，以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。　　嵌入式產(chǎn)品無(wú)處不在，因而對(duì)嵌入式存儲(chǔ)的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)，還是電視機(jī)頂盒，抑或是通信基礎(chǔ)設(shè)備，都會(huì)用到嵌入式閃存。　　隨著科技的不斷發(fā)展，消費(fèi)者對(duì)用在
關(guān)鍵字： Spansion SLC NAND

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)系統(tǒng)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP Flash 引導(dǎo)

爾必達(dá)事件對(duì)臺(tái)灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)影響之觀察

日本DRAM大廠爾必達(dá)（Elpida）今年2月召開(kāi)董事會(huì)，向東京地方法院提出更生程序并獲受理，子公司秋田爾必達(dá)（封測(cè)廠）亦同時(shí)申請(qǐng)公司更生程序。爾必達(dá)此舉引發(fā)產(chǎn)業(yè)不小震撼，也連帶的對(duì)相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生相當(dāng)?shù)臎_擊
關(guān)鍵字： DRAM NAND

基于NAND FLASH的大容量視頻存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲(chǔ)介質(zhì)，以FPGA為存儲(chǔ)陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來(lái)完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法，同時(shí)對(duì)壞塊的檢測(cè)處理等關(guān)鍵問(wèn)題提出了
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 視頻大容量 NAND FLASH 基于

Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來(lái)五年產(chǎn)品規(guī)劃圖

　　2012年5月28日，中國(guó)上海 – 嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個(gè)單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開(kāi)始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個(gè)系列，存儲(chǔ)容量在1 Gb到8 Gb之間，該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長(zhǎng)期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求，例如1位
關(guān)鍵字： Spansion NAND 閃存

基于JTAG口對(duì)DSP外部Flash存儲(chǔ)器的在線編程設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP Flash JTAG 存儲(chǔ)器在線編程

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
關(guān)鍵字：表象技術(shù) 細(xì)節(jié) 閃存 NAND 16Gb MLC 解密

手機(jī)設(shè)計(jì)中T-Flash卡設(shè)備的探測(cè)與思考

T-Flash（microSD）卡憑借高性能，小體積，大容量，適中的價(jià)格迅速在數(shù)碼市場(chǎng)中普及開(kāi)來(lái)，目前已成為手機(jī)中最流行的擴(kuò)展卡類型。手機(jī)設(shè)計(jì)中常用的TF卡座有Push和 Hinge兩種類型。Hinge型TF卡座需要掀開(kāi)蓋后才能取放，
關(guān)鍵字：探測(cè) 思考設(shè)備 T-Flash 設(shè)計(jì) 手機(jī)

一種矢量信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號(hào)的特點(diǎn)，以FPGA為邏輯時(shí)序控制器，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡(jiǎn)單、低成本的矢量信號(hào)發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細(xì)介紹了矢量信號(hào)發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過(guò)程，使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
關(guān)鍵字： DDR2 SDRAM FLASH 201205

基于TMSF240芯片的內(nèi)部FLASH的一種自測(cè)試方法

摘要：飛控計(jì)算機(jī)作為飛行控制系統(tǒng)的核心控制處理單元，其可靠性要求是所有航空電子設(shè)備中最高的，用于飛控計(jì)算機(jī)的每一個(gè)元器件都必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的自測(cè)試。隨著DSP越來(lái)越廣泛應(yīng)用于飛控系統(tǒng)，對(duì)于芯片內(nèi)部FLASH的自測(cè)
關(guān)鍵字： FLASH TMSF 240 芯片

基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢(shì)，但是在高溫、高速、高沖擊的測(cè)試環(huán)境中，往往存在設(shè)備存放空間有限、測(cè)試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的性能也提出
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ) 數(shù)據(jù) NAND Flash 基于

今年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場(chǎng)研究報(bào)告，雖然2011年情況不如人意，但今年NAND閃存市場(chǎng)可望有不錯(cuò)的表現(xiàn)，裝備固態(tài)硬盤的超級(jí)本(Ultrabook)等產(chǎn)品將助其一臂之力。　　今年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營(yíng)業(yè)收入預(yù)期，全球出貨量相當(dāng)于28823個(gè)1GB器件，而2011年是17401個(gè)。隨著智能手機(jī)、平板電腦和超級(jí)本固態(tài)硬盤(SSD)這三大市場(chǎng)使用的NAND閃存逐年增長(zhǎng)，未來(lái)幾年NAND營(yíng)業(yè)收入將持續(xù)攀升，到2016年
關(guān)鍵字： NAND 固態(tài)硬盤

主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

閃存幾乎無(wú)處不在，特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸，隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不...
關(guān)鍵字：閃存 NAND NOR 非易失性存儲(chǔ)器

FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器，具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
關(guān)鍵字： K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]