nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

Flash編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

Flash編程器的FPGA實(shí)現(xiàn),1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) FPGA 編程器 Flash

以Flash為基礎(chǔ)的FPGA實(shí)現(xiàn)高度安全設(shè)計(jì)

保密的重要性對電子系統(tǒng)而言，F(xiàn)PGA的保密性極其重要。圖1列出了兩個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的示意圖，左邊為1995年所作...
關(guān)鍵字： FLASH FPGA

9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現(xiàn)穩(wěn)定格局

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
關(guān)鍵字：集邦科 NAND 記憶卡

JTAG接口在線燒寫Flash的實(shí)現(xiàn)

JTAG接口在線燒寫Flash的實(shí)現(xiàn),為了解決TMS320VC55X 系列DSP 系統(tǒng)程序代碼的保存問題，設(shè)計(jì)了一種利用JTAG 接口，在線燒寫Flash 并實(shí)現(xiàn)自舉啟動的方法。這種在線編程的方法利用并行外部存儲器加載(EMIF)接口將TMS320VC5509 和Flash 芯片相連接，通
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) Flash 在線接口 JTAG

基于K9F6408U0A和SPDS202A的數(shù)碼錄音系統(tǒng)設(shè)計(jì)原理

K9F6408U0A是三星公司生產(chǎn)的與非型64兆位快閃存儲器，它具有工作電壓低、擦寫速度快、體積小等優(yōu)點(diǎn)。SPDS202...
關(guān)鍵字：數(shù)碼錄音 FLASH 寄存器

單片機(jī)系統(tǒng)Flash存儲器在系統(tǒng)編程設(shè)計(jì)

隨著排放法規(guī)的加嚴(yán),發(fā)動機(jī)電子控制單元(ECU)成為了現(xiàn)代汽車中一個(gè)必備部分。在發(fā)動機(jī)控制單元這種單片機(jī)系統(tǒng)中,Flash存儲器已成為其一個(gè)基本配置,主要用來存放控制程序代碼。將程序代碼裝入Flash存儲器的方法有3種:
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 編程 Flash 單片機(jī) 存儲器

基于Flash型FPGA的信號源卡設(shè)計(jì)

摘要：介紹了一種基于Flash型FPGA的多路模擬重信號源設(shè)計(jì)方法，該系統(tǒng)以ACTEL公司的A3P125VQ100芯片為核心，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的軟硬件結(jié)合。它包括數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、電源模塊、多路模擬開關(guān)模塊以及運(yùn)算放大單元等，實(shí)現(xiàn)了電源
關(guān)鍵字： Flash FPGA 信號源

ultrabook帶來新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
關(guān)鍵字： ultrabook NAND

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
關(guān)鍵字： IHS iSuppli NAND

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。　
關(guān)鍵字：三星 NAND

手機(jī)應(yīng)用LED閃光燈的幾大優(yōu)勢

現(xiàn)在的照相手機(jī)幾乎都可以當(dāng)作數(shù)字相機(jī)使用，用戶當(dāng)然希望在低照度情況下也能拍攝出高質(zhì)量的照片，因而照相手機(jī)...
關(guān)鍵字： LED Flash

把面向數(shù)字家庭的Adobe Flash引進(jìn)到MIPS-Based平臺

　　Q.什么是三重播放集成? 　　A.TPI公司是一家致力于提供數(shù)字家庭視頻平臺解決方案的專業(yè)軟件服務(wù)公司。TPI公司還是官方Adobe 的“Scaling Partner”，為消費(fèi)電子平臺提供Flash Player 10、AIR和舞臺美術(shù)技術(shù)提供優(yōu)化的端口。我們有25名具有專業(yè)的項(xiàng)目管理和質(zhì)量保障經(jīng)驗(yàn)的高級工程師團(tuán)隊(duì),平均具有 24 年的工作經(jīng)驗(yàn). 　　 ? 　　Triple Play Integration 銷售副總裁Mike Nottage 　　Q.
關(guān)鍵字： TPI Adobe Flash

出貨不如預(yù)期閃存芯片價(jià)格小幅下跌

　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。　
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND

AT91SAM7Sxx系列MCU Boot-Loader的設(shè)計(jì)

AT91SAM7xx 系列是Atmel 公司推出的基于ARM7內(nèi)核的32位MCU。用戶代碼編譯在Thumb 模式下可獲得16位指令寬度 ...
關(guān)鍵字： AT91SAM7Sxx VID Flash

下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長或趨緩

　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術(shù)長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術(shù)的延遲，將導(dǎo)致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當(dāng)樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲，閃存的成長可能需要再評估。　
關(guān)鍵字： SanDisk NAND

共1459條 57/98 |‹ « 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]