nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營(yíng)運(yùn)
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主，不過(guò)它也存在諸多問(wèn)題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。　　從FRAM到相變式存儲(chǔ)器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過(guò)，走在最前列的是一家美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別，Crossba
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DRAM樂(lè)觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會(huì)是中國(guó)嗎

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時(shí)會(huì)考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開(kāi)了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時(shí)稱，需求超過(guò)了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國(guó)西安市建廠，海力士也在中國(guó)建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問(wèn)及中國(guó)是否會(huì)是海外建廠的最佳地區(qū)時(shí)，他補(bǔ)充說(shuō)
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美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)

　　美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)宣布，與存儲(chǔ)器廠商華邦電擬進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲(chǔ)器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)，預(yù)計(jì)2015年1月就會(huì)開(kāi)始送樣認(rèn)證1GB芯片。　　 ? 　　據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結(jié)盟，雙方將開(kāi)發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
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中國(guó)“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機(jī)全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時(shí)代到來(lái)等，都將大幅增加對(duì)NAND型記憶卡的需求。
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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案

　　在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(lè)(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車級(jí)PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
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NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
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研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過(guò)后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù)，再加上手中庫(kù)存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購(gòu)談判，以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國(guó)時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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MSP430F單片機(jī)設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)方案

　　本文設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)能夠通過(guò)溫度傳感器測(cè)量和顯示被測(cè)量點(diǎn)的溫度，并可進(jìn)行擴(kuò)展控制。該溫度計(jì)帶電子時(shí)鐘，其檢測(cè)范圍為l0℃～30℃，檢測(cè)分辨率為1℃，采用LCD液晶顯示，整機(jī)靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想對(duì)其它類型的超低功耗微型便攜式智能化檢測(cè)儀表的研究和開(kāi)發(fā)，也具有一定的參考價(jià)值。　　1 元器件選擇　　本系統(tǒng)的溫度傳感器可選用熱敏電阻。在10～30℃的測(cè)量范圍內(nèi)，該器件的阻值隨溫度變化比較大，電路簡(jiǎn)單，功耗低，安裝尺寸小，同時(shí)其價(jià)格也很低，但其熱敏電阻精度、重復(fù)性、可
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挺進(jìn)蘋(píng)果三星，新芯代工兆易Flash突破十萬(wàn)晶圓

　　伴隨大陸手機(jī)產(chǎn)業(yè)的崛起，一批本土IC設(shè)計(jì)企業(yè)正在逐步壯大，兆易創(chuàng)新無(wú)疑是其中的佼佼者之一。　　功能手機(jī)大多采用SPI NOR Flash芯片，設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，而且制造成本較低，對(duì)于低端手機(jī)頗有吸引力。目前來(lái)看，功能機(jī)的市場(chǎng)容量依然不可小覷。工信部曾發(fā)布2014年第一季度《中國(guó)手機(jī)行業(yè)運(yùn)行狀況》報(bào)告，其中顯示今年一季度，2G手機(jī)(功能機(jī))總出貨量為1144萬(wàn)部，雖然同比下降超七成，但是仍然是個(gè)不小的數(shù)字。放眼全球市場(chǎng)，根據(jù)IDC發(fā)布的全球智能手機(jī)出貨量報(bào)告，去年全球智能手機(jī)的出貨量達(dá)到10億400萬(wàn)臺(tái)
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東芝NAND Flash漲勢(shì)迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化

　　2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。尤其在下半年蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，三星、東芝這些存儲(chǔ)行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。　　在今年的高交會(huì)上，記者也對(duì)東芝新制程的存儲(chǔ)
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無(wú)NAND之地：閃存無(wú)法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤(pán)與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤(pán)的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤(pán)間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來(lái)巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫(xiě)滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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基于藍(lán)牙技術(shù)的LED點(diǎn)陣屏設(shè)計(jì)方案

　　0 引言　　本文設(shè)計(jì)一種內(nèi)容更新便捷、可擴(kuò)展、低價(jià)格的點(diǎn)陣LED 文字顯示屏。降低成本的途徑是①用幾乎人人都有的手機(jī)的藍(lán)牙數(shù)據(jù)傳輸功能進(jìn)行LED 顯示內(nèi)容的更新，免去專業(yè)上位機(jī)軟件和控制卡的成本，操作也更簡(jiǎn)單;②單次顯示內(nèi)容在5 ~ 30 個(gè)漢字或英文字母，因?yàn)轱@示內(nèi)容較少，就可實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展電路的簡(jiǎn)單化。　　1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案　　1. 1 系統(tǒng)組成　　系統(tǒng)由帶藍(lán)牙功能的智能手機(jī)和LED 顯示屏組成。其中，LED 顯示屏由單片機(jī)、LED 點(diǎn)陣模塊、字庫(kù)芯片、藍(lán)牙接收模塊、5V 開(kāi)關(guān)電源和3.3
關(guān)鍵字：藍(lán)牙 LED FLASH

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]