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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

            2014年Q4品牌NAND供應(yīng)商營收僅成長2%

            •   根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告, 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三 季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。   DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
            • 關(guān)鍵字: NAND  英特爾  三星  

            淡季影響銷售,NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求

            •   根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下,業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn),改善成本架構(gòu),以減低價格跌幅的沖擊。  
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  三星  東芝  

            國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門

            •   存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊,繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟,新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴,考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能,顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源,并敲開與臺廠合作大門。   半導(dǎo)體業(yè)者透露,在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下,智能型手機(jī)內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP,原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片,2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  Mobile RAM  

            NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境

            •   由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加,造成價格連續(xù)兩個月下滑,業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重,后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。   根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo),由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季,加上庫存堆積,導(dǎo)致NAND Flash價格走滑,市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  三星  

            無線應(yīng)用成2015半導(dǎo)體市場最大增長動力

            •   2015年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入預(yù)計將達(dá)3580億美元,較2014年增長5.4%,但仍然低于之前5.8%的增長預(yù)期。   半導(dǎo)體市場的增長動力包括智能手機(jī)專用標(biāo)準(zhǔn)電路ASSP,以及超移動PC和固態(tài)硬盤中使用的DRAM和NAND閃存芯片。   “由于DRAM恢復(fù)傳統(tǒng)的降價方式,而整個行業(yè)需要消耗假期的過多庫存,因此2015年的半導(dǎo)體收入增長可能較2014年的7.9%有所放緩?!睒I(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,“由于供應(yīng)短缺,DRAM價格在2014年基本保持堅挺,使之成為2014年增速最
            • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  DRAM  NAND  

            玻璃和金屬的精致結(jié)合 大神X7拆機(jī)評測

            •   大神X7作為大神最新的旗艦手機(jī),不僅擁有出色的硬件配置,同時采用雙面玻璃加上一體成型鋁合金中框,做工非常精細(xì),今天我們來將大神X7拆開,看一下大神X7的做工用料,究竟大神X7做工有多精致。        大神X7采用雙面玻璃工藝,而且手機(jī)沒有任何螺絲,所以拆解只能從后蓋開始,因為后蓋是采用雙面膠固定的。        要將大神X7后蓋拆除必須將后蓋進(jìn)行加熱,讓雙面膠可以和后蓋分離,從而移除后蓋的后蓋。        大神X7整個后蓋的背面都覆
            • 關(guān)鍵字: 大神  X7  flash  

            群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻

            •   儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布,參與記憶體模組廠宇瞻私募,將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為宇瞻最大法人股東,雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場。   群聯(lián)昨股價上漲2.5元,收在214.5元;宇瞻下跌0.25元,以31.4元作收。   群聯(lián)斥資約3.8億元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長潘健成。 本報系資料庫   分享   上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
            • 關(guān)鍵字: 群聯(lián)  宇瞻  NAND Flash  

            半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時刻 救了三星的面子與里子

            •   三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報,營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元),其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上,可說是最大功臣。   據(jù)韓媒ChosunBiz報導(dǎo),三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報,業(yè)績終于跌回升,營收為52兆韓元,營業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。   韓國KDB大宇證券推估,三星電子DS部門第4季貢獻(xiàn)營業(yè)利益約2.9兆韓元,比IT暨移動通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業(yè)利益(2
            • 關(guān)鍵字: 蘋果  DRAM  NAND Flash  

            Gartner:蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長

            •   Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果,2014年全球半導(dǎo)體總營收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營收增長率為11.7%,優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%,比2013年的69.7%更高。   Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今,2014年營收也因而增長31.
            • 關(guān)鍵字: Gartner  DRAM  NAND  

            三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品

            •   三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上,并在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位,計劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。   據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報導(dǎo),三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā),并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND,并在2016年才投入量產(chǎn),然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
            • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  Intel  

            創(chuàng)客作品:自制足球游戲解說員

            •   有時,在小型開發(fā)板上分模塊地測試代碼,要比自己在大腦里想出整個完整的多模塊應(yīng)用更切實際。你要做的只是現(xiàn)在就著手,一行一行地編寫代碼。   周末我們打算在電子棋盤游戲系統(tǒng)上開發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉(zhuǎn)化成實際的一款游戲,而非只是模糊的設(shè)計理念或想法。   最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設(shè)您是玩家,請問您是否更希望比賽時有同步的現(xiàn)場解說呢?當(dāng)您控制球場上的角色,嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時,此時若恰好出現(xiàn)評論員或解說員的聲音,您是否會更有身臨其境之感?   我們堅信這款游戲定會很受歡迎
            • 關(guān)鍵字: 電子解說員  AS3  Flash  mp3  Audacity  

            Flash的下一站藍(lán)海在哪里?

            •   物物相聯(lián),萬物智能的時代漸行漸近,越來越多的設(shè)備都將擁有“智慧”,除了處理器、傳感器之外,F(xiàn)lash存儲器也是不可或缺的核心部件之一。   物聯(lián)網(wǎng)或帶動Flash新需求   物聯(lián)網(wǎng)的場景很美好,但其中涉及太多的跨品牌、跨平臺、跨設(shè)備之間的無線通訊。只有不斷的在通信技術(shù)領(lǐng)域全面而迅速的發(fā)展,才能打造出智慧城市,從而實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)中的互聯(lián)互通。   NOR Flash應(yīng)用的另一大重要場景就是網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備。   大量的網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品需要升級換代,以作為搶占客廳入口的路由器為例,因智
            • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  Flash  處理器  

            高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

            •   全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。   東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
            • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  閃存  3D  201501  

            基于Flash和JTAG接口的FPGA多配置系統(tǒng)

            •   引言   針對需要切換多個FPGA配置碼流的場合, Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案,它利用CF(Compact Flash)存儲卡來替代配置用PROM,用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫,上位機(jī)軟件生成專用的ACE文件并下載到CF存儲卡中,上電后通過ACE控制芯片實現(xiàn)不同配置碼流間的切換[1]。   System ACE的解決方案需要購買CF存儲卡和專用的ACE控制芯片,增加了系統(tǒng)搭建成本和耗費了更多空間,而且該方案只能實現(xiàn)最多8個配置文件的切換,在面對更多個配置
            • 關(guān)鍵字: Flash  JTAG  FPGA  

            Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

            •   不久前,Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知,Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此,我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強(qiáng)大的客戶群,而且我們還發(fā)現(xiàn),這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言,Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個完美的選擇。        作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
            • 關(guān)鍵字: Spansion  NAND  
            共1459條 41/98 |‹ « 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 » ›|

            nand flash介紹

             Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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