- 針對日本強震對電子供應(yīng)鏈的影響,美銀美林證券全球半導體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示,由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單,而兩家占BT樹脂供給量的九成,使得基板供給影響比想象嚴重,目前預估這次震災(zāi)對NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%,預期這次電子供應(yīng)鏈修復期至少4-6個月?!?/li>
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NAND 基板
- 市場研究機構(gòu) VLSI Research 最近調(diào)升了對 2011年 IC市場成長率的預測;該機構(gòu)先前估計 2011年全球IC市場將成長8.1%、達到2,687億美元營收規(guī)模,現(xiàn)在則是認為今年度該市場成長率為8.9%,營收規(guī)模2,707億美元。
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IC NAND
- 摘要:FPGA可以通過串行接口進行配置。本文對傳統(tǒng)的配置方法進行了研究,并從更新配置文件的方法入手,提出了利用處理機通過網(wǎng)絡(luò)更新的方法,給出了一個用CPLD和Flash對FPGA進行配置的應(yīng)用實例。
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Flash CPLD FPGA
- 據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱,隨著消費者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。
iSuppli稱,用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預計將達到23億GB,比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預計到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB?!?/li>
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NAND 閃存芯片
- 存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外,市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當?shù)?,海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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Hynix NAND
- 蘋果目前正在跟三星電子洽談購買約78億美元的零組件,內(nèi)容包括屏幕、處理器、NAND閃存等,主要都是要用在 iPad、iPhone等產(chǎn)品上面。一旦該筆訂單確定下來,蘋果將成為三星的最大單一客戶。
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三星 NAND
- 市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。
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DRAM NAND
- 在2011年的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細節(jié)。
在一段時間內(nèi),由于手機、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場的強勁需求,NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。
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NAND 閃存
- 來自臺灣媒體的最新消息稱,市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。
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DRAM NAND
- DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%,隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價亦走向止跌,存儲器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%,使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多;南亞科則預計,2月 DRAM合約價漲幅目標是至少5%?! ?/li>
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DRAM NAND
- 存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外,市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當?shù)溃Aκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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海力士 NAND
- 據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱,隨著消費者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。
iSuppli稱,用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預計將達到23億GB,比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預計到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB?! ?/li>
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iPad NAND
- 2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應(yīng)用端,傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺,整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%,為191.7億美元,其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王,美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix),但差距相當少,雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。
2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風光不再,取而代之的
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三星電子 NAND
- 據(jù)iSuppli公司,作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介,NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄,增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預計2011年增長72%,達到193億GB。
盡管增長勢頭強勁,但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化??紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫,而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn),風險可能在2011年底浮現(xiàn),屆時供應(yīng)可能超過需求。預計201
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NAND 閃存
- 據(jù)iSuppli公司,作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介,NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄,增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預計2011年增長72%,達到193億GB。
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三星電子 NAND
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