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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。 三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
- 關鍵字： 三星電子 NAND
三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當大的話語權，這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。 三星上個月
- 關鍵字： 三星 NAND 30nm
三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標準
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標準，被業(yè)界廣泛接受使用。 最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。 高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來將
- 關鍵字： 三星 NAND 東芝
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關鍵字： 三星 NAND
爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業(yè)者進一步合作。 據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。 官員透露，爾必達來臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
- 關鍵字： TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導體市場強力支撐
- 全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關注。 美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
- 關鍵字： DRAM NAND
SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？
- 編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業(yè)看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業(yè)有點紅火。 按市場調(diào)研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業(yè)增長96%
- 關鍵字： 半導體設備 NAND DRAM
力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
- 近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術，目前力晶NAND Flash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
- 關鍵字： TIMC NAND
TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口設計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關鍵字： TMS320C6201DSP 處理器 Flash
NAND閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據(jù)合同義務和關系向關鍵
- 關鍵字： NAND 閃存芯片
因供不應求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據(jù)合同義務和關系向關鍵的合作
- 關鍵字： NAND 閃存芯片
華邦：NOR Flash市場缺口達20%
- 華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調(diào)漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動的影響相對較小。 華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場缺口約20%，華邦的優(yōu)勢在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預計這樣的產(chǎn)能水平仍無法滿足客戶需求
- 關鍵字： 華邦 NOR Flash
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