nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。　　
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND

3C大廠合力推動(dòng)UFS實(shí)現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

　　集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國(guó)際大廠，近期正在積極推動(dòng)新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。　
關(guān)鍵字：三星 NAND UFS

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體 NAND

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢(shì)

　　因應(yīng)MCU成長(zhǎng)快速及程序數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計(jì)成為主流趨勢(shì)，MCU大廠也紛紛以購(gòu)并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來(lái)的技術(shù)變革。　　
關(guān)鍵字： MCU Flash

固態(tài)硬盤(pán)備受關(guān)注

　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報(bào)告指出，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)一直以來(lái)為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于 NAND Flash 的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤(pán)與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤(pán) NAND

固態(tài)硬盤(pán)備受NAND Flash廠商親賴

　　固態(tài)硬盤(pán)一直以來(lái)為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。而從消費(fèi)者的論點(diǎn)來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤(pán)的兩倍以上，同時(shí)也兼具了省電與抗震動(dòng)的特點(diǎn)，因此，DRAMeXchange認(rèn)為，在未來(lái)高畫(huà)質(zhì)影音與大容量檔案?jìng)鬏數(shù)男枨髮⒋蠓嵘?，?duì)于固態(tài)硬盤(pán)的需求若能在價(jià)格有效下降至可接受的范圍將會(huì)開(kāi)始提升。　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤(pán) NAND

美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲(chǔ)存的混合光驅(qū)采用

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲(chǔ)存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡(jiǎn)稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量?jī)?chǔ)存和可修改功能，是針對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)、DVD 播放器和藍(lán)光產(chǎn)品的綜合解決方案。　　美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設(shè)備中8GB 儲(chǔ)存容量，滿足新應(yīng)用
關(guān)鍵字：美光 NAND

Spansion能否卷土重來(lái)

　　高調(diào)宣布走出破產(chǎn)保護(hù)陰影的Spansion公司日前公布了其2010財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，公司非GAAP調(diào)整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬(wàn)美元上升至2740萬(wàn)美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財(cái)季相比，仍繼續(xù)保持著穩(wěn)定的財(cái)務(wù)態(tài)勢(shì)。Spansion是否能夠卷土重來(lái)?業(yè)界一直存在頗多爭(zhēng)議之聲。日前，該公司企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務(wù)、技術(shù)趨勢(shì)等話題接受了專(zhuān)訪。　
關(guān)鍵字： Spansion NAND

三星、東芝制程競(jìng)賽不止

　　NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競(jìng)賽拼得火熱，在產(chǎn)出持續(xù)大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達(dá)5~7%，低容量芯片價(jià)格則是幾乎持平，市場(chǎng)預(yù)期日前平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī) (Smart Phone)都內(nèi)建高容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，在年底圣誕節(jié)最后一波促銷(xiāo)熱潮之下，有機(jī)會(huì)提升NAND Flash市場(chǎng)的需求，彌補(bǔ)2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣(mài)相不佳的缺憾。　
關(guān)鍵字：三星 NAND

三星啟動(dòng)64GB 3位元20納米NAND閃存批產(chǎn)

　　就在啟動(dòng)32GB 20nm閃存生產(chǎn)線四個(gè)月后，三星確認(rèn)目前已經(jīng)啟動(dòng)64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產(chǎn)。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND 20納米

NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線　靜待大廠減產(chǎn)

　　全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出下，9月下旬合約價(jià)續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價(jià)格再跌，恐會(huì)讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來(lái)要看大陸十一長(zhǎng)假后是否出現(xiàn)補(bǔ)貨需求，帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌。　　模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買(mǎi)氣受限于現(xiàn)貨價(jià)跌幅較深，通路商補(bǔ)貨意愿不高，但在NAND Flas
關(guān)鍵字： NAND DRAM

日元走強(qiáng) 東芝稱仍有望實(shí)現(xiàn)芯片業(yè)務(wù)獲利

　　日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日?qǐng)A走強(qiáng)，但該公司有望實(shí)現(xiàn)其在截至明年3月的會(huì)計(jì)年度，芯片業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到12億美元的預(yù)估，因新的電子設(shè)備熱銷(xiāo)，提高了芯片需求。　　東芝芯片業(yè)務(wù)主管小林清志表示，因低質(zhì)產(chǎn)品供應(yīng)過(guò)多，最近NAND芯片現(xiàn)貨價(jià)格下降，但這對(duì)東芝的影響極小。　　NAND閃存芯片需求一直強(qiáng)勁，因受到智能手機(jī)和蘋(píng)果的iPad等移動(dòng)設(shè)備暢銷(xiāo)所助。　　“整體需求強(qiáng)勁成長(zhǎng)情況一直符合我們對(duì)2010會(huì)計(jì)年度的預(yù)期，而且我們預(yù)計(jì)中國(guó)國(guó)慶節(jié)，黑色星期五
關(guān)鍵字：東芝芯片 NAND

基于FLASH的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于FLASH的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì),1 引言

FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ) 嵌入式 FLASH 基于

TMS320C6712的外部?jī)?nèi)存自引導(dǎo)功能的實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字：引導(dǎo) FLASH ROM 中斷向量表內(nèi)存自引導(dǎo)

2011年手機(jī)將消耗NAND Flash總量的40%

　　由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫(kù)存水位偏高，下半年各項(xiàng)信息與消費(fèi)型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機(jī)廠商有效去化庫(kù)存以及智能手機(jī)成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁的情況下，下半年手機(jī)成長(zhǎng)幅度將領(lǐng)先各項(xiàng)電子產(chǎn)品。也由于智能手機(jī)的熱賣(mài)，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長(zhǎng)。　　蘋(píng)果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機(jī)的熱賣(mài)，預(yù)估2010年手機(jī)出貨量將較2009年成長(zhǎng)13%，達(dá)到13億支的規(guī)模，而智能手機(jī)市場(chǎng)扮演重要
關(guān)鍵字：智能手機(jī) NAND