nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資
- 2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界,各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此,市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來。 2008~2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而,進(jìn)入2010年下半年后,以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面,微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開發(fā)也越來越活躍。
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C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù)
- C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對(duì)實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號(hào)處理器,由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器,屬于EEPROM器件,與其它的
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將保持5%的成長(zhǎng)率
- 針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì),設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng),幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁,預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。
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基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)
- 1引言火災(zāi)樓層顯示器作為火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)的重要組成部分,是一種安裝在樓層或獨(dú)立防火區(qū)中的數(shù)字式火...
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未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂
- 據(jù)iSuppli公司,由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加,2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。 預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元,比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%,部分利益于智能手機(jī)和蘋果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長(zhǎng),2011年NAND閃存市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng),盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場(chǎng)上升25%至225億美元。
- 關(guān)鍵字: NAND 智能手機(jī)
2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
- 2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,可說是值得紀(jì)念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)率將高達(dá)30%,創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨緩影響,2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長(zhǎng)5%,移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽堋nA(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。
- 關(guān)鍵字: SAMSUNG DRAM NAND
NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
- NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案,詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法,同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 管理 Flash NAND
NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級(jí)和頁級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義,同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 算法 管理 Flash NAND
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