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	nand-flash
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線
            
                                                            
              
                    	
            • 　　全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
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            • 關(guān)鍵字：
                        NAND  DRAM                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制，提供更好的讀寫速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
              關(guān)鍵詞：DDR NAN
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            • 關(guān)鍵字：
                        嵌入式  接口  設(shè)計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于                          
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            基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計
            
                                                            
              
                    	
            • 摘要：為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題，采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì)，大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心，通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲，提高了整
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            • 關(guān)鍵字：
                        FLASH  NAND  大容量  存儲                            
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            存儲器思謀發(fā)展
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory，外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進，存儲器獲得了長足的發(fā)展。
　　
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            • 關(guān)鍵字：
                        存儲器  NAND  201105                          
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            Gartner認為SSD將在明年成為市場主流
            
                                                            
              
                    	
            • 　　數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠，但相比大容量的硬盤而言，這種產(chǎn)品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相當(dāng)于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此，Gartner依然對SSD市場的前景十分看好，并認為到2012年下半年，固態(tài)硬盤將成為市場的主流，并預(yù)期到時候的價格將會下降到每1美元1GB，這意味著主流的SSD價格將下調(diào)到100美元以下，例如64GB64美元，從而開始被大眾接受。
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            • 關(guān)鍵字：
                        NAND  SSD                          
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            NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用
            
                                                            
              
                    	
            • 0 引言　　計算機技術(shù)的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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            • 關(guān)鍵字：
                        FLASH  NAND  儲存  測試系統(tǒng)                            
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            三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片
            
                                                            
              
                    	
            • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
　　
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            • 關(guān)鍵字：
                        三星  NAND                          
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            NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換
            
                                                            
              
                    	
            • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。
　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強震，對
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            • 關(guān)鍵字：
                        三星電子  NAND                          
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            基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • ICP是一種在實際的目標(biāo)電路板上燒寫和擦除芯片的方法，無需從目標(biāo)板上將芯片卸下來再編程實現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開發(fā)和代碼升級。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1，STC
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            • 關(guān)鍵字：
                        在線  編程  Flash  MC68HC908JB8  USB  總線  基于                          
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            三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
　　
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        三星  NAND Flash                          
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            三星、海力士擴大NAND Flash投資
            
                                                            
              
                    	
            • 　　由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
　　
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            • 關(guān)鍵字：
                        三星  NAND  移動設(shè)備                          
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            TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)
            
                                                            
              
                    	
            •  TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點數(shù)字信號處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        技術(shù)  在線  Flash  片內(nèi)  TMS320F2812                          
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            美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本
            
                                                            
              
                    	
            • 　　由于智能型手機等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。
　　
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            • 關(guān)鍵字：
                        美光  NAND                          
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            4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。
　
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            • 關(guān)鍵字：
                        閃存  NAND                          
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            東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND
            
                                                            
              
                    	
            • 　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。
　
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            • 關(guān)鍵字：
                        東芝  NAND                          
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