nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

4000億能砸出中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國(guó)家意志的推動(dòng)下，中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國(guó)企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

中國(guó)NAND快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國(guó)記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國(guó)極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢(shì)下，將開始進(jìn)入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡弥赋觯F(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國(guó)際NAND Fla
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器

投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
關(guān)鍵字：晶圓 3D NAND

中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ)，剩下的問題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢？初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的，但長(zhǎng)久來看還得是技術(shù)立足。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)

東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬(wàn)億日元

　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測(cè)需要多長(zhǎng)時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說明會(huì)，代表執(zhí)行董事社長(zhǎng)室町正志在會(huì)上這樣說道。　　東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會(huì)前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
關(guān)鍵字：東芝 NAND

Flash芯片你都認(rèn)識(shí)嗎？

　　Flash存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對(duì)它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)?！　∫?、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
關(guān)鍵字： Flash EEPROM

Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

　　資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng)，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲(chǔ)存領(lǐng)
關(guān)鍵字： Flash SAS

2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競(jìng)爭(zhēng)力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。　
關(guān)鍵字： 3D NAND 2D

主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)遇瓶頸閃迪/美光/Intel怎么樣了？

除供過于求價(jià)格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
關(guān)鍵字： NAND 美光

2015年第四季NAND品牌商營(yíng)收/利潤(rùn)衰退

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
關(guān)鍵字： NAND 三星

2015年第四季NAND廠商營(yíng)收排行

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
關(guān)鍵字： NAND SSD

運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲(chǔ)器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲(chǔ)設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲(chǔ)器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對(duì)新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對(duì)厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級(jí)層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對(duì)于制造多層堆疊存儲(chǔ)單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起主控芯片廠商最有希望拔得頭籌

　　2015年中國(guó)半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。　　TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，在營(yíng)運(yùn)上中國(guó)國(guó)產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場(chǎng)應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、政府機(jī)關(guān)與國(guó)防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個(gè)世代
關(guān)鍵字： NAND SSD

慧榮科技攜嵌入式存儲(chǔ)和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì)

　　在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國(guó)紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會(huì)，在1號(hào)廳160號(hào)展臺(tái)向業(yè)界展示其針對(duì)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲(chǔ)及圖形解決方案?！　』蹣s科技展臺(tái)將展出如下產(chǎn)品：　　Ferri-eMMC?解決方案　　Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
關(guān)鍵字：慧榮科技 NAND

中國(guó)廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

未來中國(guó)國(guó)產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭(zhēng)鳴的態(tài)勢(shì)，產(chǎn)品應(yīng)用也有機(jī)會(huì)從企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存產(chǎn)品，向下延伸至消費(fèi)性產(chǎn)品，這也是下一波國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的焦點(diǎn)。
關(guān)鍵字： NAND 半導(dǎo)體

共1460條 35/98 |‹ « 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]