nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，東芝(Toshiba)計(jì)劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財(cái)年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲(chǔ)器芯片。日經(jīng)亞洲評(píng)論(Nikkei Asian Review)報(bào)導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì)比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)
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中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)崛起策略：三駕馬車并用

有關(guān)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了，似乎路徑已經(jīng)清晰，關(guān)鍵在于執(zhí)行，以及達(dá)成何種效果。受現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導(dǎo)，因此非市場(chǎng)化的因素尚在，產(chǎn)業(yè)的波浪式前進(jìn)似乎不可避免，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進(jìn)。
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段：　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況，及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器市場(chǎng) DRAM Flash 201607

3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
關(guān)鍵字： 3D NAND 半導(dǎo)體

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯　價(jià)格走揚(yáng)

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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中國(guó)成為全球新建晶圓廠主要推手

　　全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó)。　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó);而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長(zhǎng)13%、達(dá)到407億美元。　　　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對(duì)供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復(fù)速度很快，給當(dāng)?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點(diǎn)個(gè)贊。
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三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%

　　據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定，但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。　　barron`s.com16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出，三星應(yīng)該會(huì)在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開，且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。　　另外，三星也將善用Line
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中國(guó)半導(dǎo)體成效驚人包攬近兩年過半全球新增產(chǎn)能

　　中國(guó)砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過一半都將來自中國(guó)。　　據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠，當(dāng)中有10座設(shè)在中國(guó)，其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]