nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康

　　蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷(xiāo)售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。　　創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢(shì)成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。　　威剛董事長(zhǎng)陳立白日
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)

　　為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來(lái)?…，等等，問(wèn)了那么多為什么，那我反問(wèn)一個(gè)問(wèn)題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? 　　 ? 　　一、Nand flash的特性　　1、位翻轉(zhuǎn) 　　在 NAND 閃存是通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元(Cell)進(jìn)行充電來(lái)完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的，存儲(chǔ)單元的閾值電壓就對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時(shí)候，通過(guò)將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對(duì)比來(lái)獲得其數(shù)據(jù)值。對(duì)SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
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中國(guó)存儲(chǔ)器“3+1”版圖初現(xiàn)

存儲(chǔ)器是一個(gè)嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)，想做起來(lái)太難，在過(guò)去的年月里，能夠聽(tīng)到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國(guó)這次能否在存儲(chǔ)器市場(chǎng)占有一定規(guī)模呢？
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2016年第一季NAND品牌營(yíng)收排行榜

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑幅度明顯高于位元出貨量成長(zhǎng)的情況下，第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個(gè)季衰退。　　2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過(guò)于求影響，通路顆粒合約價(jià)下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟(SSD)跌價(jià)幅度擴(kuò)大至13~18%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì)非常缺

　　全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應(yīng)。　　慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心，立足全球的國(guó)際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來(lái)新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì)后，針對(duì)今年NAND Fl
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

　　紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過(guò)有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。　　巴倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國(guó)透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位

　　全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國(guó)三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。　　全球個(gè)人電腦(PC)銷(xiāo)量下降，以及智能手機(jī)增長(zhǎng)放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。　　高通曾表示，第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降65%，這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jī)。　　將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星，也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降，一些分析師預(yù)測(cè)1-
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

　　中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。　　某研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。　　　　預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。　　拓墣
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TrendForce：2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片

　　中國(guó)大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。　　TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋(píng)果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕

　　蘋(píng)果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年，蘋(píng)果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì)采用AMOLED屏幕。　　　　先前蘋(píng)果不用三星閃存，是因?yàn)槿窍Ｍ陂W存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來(lái)做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺(tái)灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個(gè)技術(shù)，來(lái)讓閃存顆粒滿足蘋(píng)果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因?yàn)檫@一工藝較為廉價(jià)，所以三星比較重視。　　使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程意在瞄準(zhǔn)蘋(píng)果NAND訂單

　　傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對(duì)蘋(píng)果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲(chǔ)器，過(guò)去4年來(lái)三星電子與蘋(píng)果的NAND Flash交易中斷。　　據(jù)韓媒ET News報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone

　　韓廠積極打進(jìn)蘋(píng)果iPhone供應(yīng)鏈。韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，三星電子計(jì)畫(huà)提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。　　韓國(guó)網(wǎng)站媒體ET News報(bào)導(dǎo)，蘋(píng)果從2012年iPhone 5推出開(kāi)始，就沒(méi)有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋(píng)果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計(jì)劃著手3D NAND研發(fā)

　　大陸國(guó)營(yíng)企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國(guó)業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對(duì)手。　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計(jì)劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。　　韓聯(lián)社引述EE Times
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ)，各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小，但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái)，也值。
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌美光營(yíng)收下滑

　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營(yíng)收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬(wàn)美元，對(duì)未來(lái)季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]