閃存文章進入閃存技術社區(qū)

基于浮柵技術的閃存介紹

基于浮柵技術的閃存介紹,　恒憶
　　圖. 1 對一個閃存晶體管進行寫操作　　浮柵內的電子會提高晶體管的閾值電壓;在單級閃存單元內，這相當于一個存儲二進制數(shù)字“0”的存儲單元。　　　　圖2 在完成寫操作后閾值電壓被偏移　　
關鍵字：介紹閃存技術基于

閃存與控制器結合美光挑戰(zhàn)SSD技術高峰

　　在閃存業(yè)務方面若想獲得成功，你需要結合閃存產品和控制器技術，美光表示這兩樣，它都具備。　　半導體制造商美光已經(jīng)一定的閃存基礎，提供SSD和PCIe連接的閃存卡，例如，被EMC VFCache采用的SLCP 320h。另外P320h的熱插拔版本已經(jīng)被戴爾服務器使用。　　美光想要傳達的主要信息是，閃存技術將會變得更加復雜，需要緊密地集成控制器
關鍵字：美光閃存

為嵌入式應用選擇、實現(xiàn)NAND閃存海量存儲

標簽：NAND POS在嵌入式應用中，海量存儲密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機、便攜式導航設備、無線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費產品由于需要處理越來越多的多媒體內容而要求更高的海量
關鍵字：閃存海量存儲 NAND 實現(xiàn) 應用選擇嵌入式

閃存技術在3G時代的應用

標簽：閃存技術 3G下一代手機將有更多功能服務的應用可使用戶完成許多曾經(jīng)難以想象的事情。只需一部手機，人們的購物、工作、居家生活將更便捷。這些功能在技術上的實現(xiàn)并不困難，但如果缺乏完善的安全保護系統(tǒng)，人
關鍵字：應用時代 3G 技術閃存

軟件技術可讓閃存替代隨機存儲器

　　據(jù)物理學家組織網(wǎng)7月19日報道，美國普林斯頓大學針對大型數(shù)據(jù)公司開發(fā)出一種軟件技術，允許采用閃存的方式替代計算機隨機存儲器(RAM)運行，可以從根本上大幅削減能耗。服務器公司會使互聯(lián)網(wǎng)損耗的巨大電力劇增。　　據(jù)《紐約時報》的報道估計，谷歌在其數(shù)據(jù)中心使用的電力足夠大約20萬戶家庭使用。而大型服務器中心所采用的計算機內存類型為隨機存儲器(RAM)，其存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關。雖然快速、靈活，但操作起來需要源源不斷的電力，也迫使用戶花費更多的資金用于冷卻
關鍵字：存儲器閃存

Spansion串行閃存增強英飛凌開發(fā)系統(tǒng)的圖形顯示性能

　　XMC4000 Hexagon開發(fā)工具加速電機控制、工業(yè)自動化和太陽能電子系統(tǒng)原型設計　　2012年7月19日，中國北京 – Spansion 公司(紐約證券交易所代碼：CODE)今日宣布英飛凌科技公司已經(jīng)選擇Spansion ? FL 系列串行閃存為其Hexagon開發(fā)工具組件提供高性能的 4路 I/O SPI 接口數(shù)據(jù)儲存解決方案。Hexagon工具組件作為基于XMC4000 微控制器的模塊化可擴展平臺，給工程師們提供了一種快速完成工業(yè)自動化應用(例如電機控制)或者各種能量
關鍵字： Spansion 閃存

Spansion串行閃存增強英飛凌開發(fā)系統(tǒng)圖形顯示性能

Spansion 公司(紐約證券交易所代碼：CODE)日前宣布英飛凌科技公司已經(jīng)選擇Spansion ? FL 系列串行閃存為其Hexagon開發(fā)工具組件提供高性能的 4路 I/O SPI 接口數(shù)據(jù)儲存解決方案。Hexagon工具組件作為基于XMC4000 微控制器的模塊化可擴展平臺，給工程師們提供了一種快速完成工業(yè)自動化應用(例如電機控制)或者各種能量轉換系統(tǒng)(例如太陽能轉化器)的原型設計方法。
關鍵字： Spansion 閃存微控制器

汽車信息娛樂系統(tǒng)中閃存設備的管理設計

汽車信息娛樂和遠程電子信息處理系統(tǒng)需要從閃存器件中讀寫海量數(shù)據(jù)，因此這些器件必須能長期可靠、無錯地保存數(shù)據(jù)。例如，嵌入到汽車導航系統(tǒng)中的閃存芯片必須在若干年的頻繁使用條件下可靠工作。用戶不希望丟失數(shù)據(jù)
關鍵字：汽車信息娛樂系統(tǒng) 閃存設備

瑞薩與臺積電聯(lián)手開發(fā)40nm閃存混載技術

　　繼長期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺積電(TSMC)合作開發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術，并委托臺積電生產。車載MCU也將成為外包對象。瑞薩表示，到2016年度將把半導體整體的外包生產比例由2011年度的15%提高到30%。　　日本國內工廠進一步空洞化? 　　雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設備投資而轉為外包的情況，但要求高品質的車載MCU等以前一直被認為難以實施外包生產?！扒闆r因東日本大地震而發(fā)生了
關鍵字：瑞薩臺積電閃存

東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強數(shù)據(jù)保護功能

　　東芝于今日正式發(fā)布了全球首個使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤產品。東芝新SSD的主要改進之處在于主控，配合19nm閃存可實現(xiàn)對SATA 3.1標準的支持，讀取/寫入速度最大可達524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時還集成有獨家的錯誤校驗技術QSBC，并支持微軟下一代垃圾清理技術Deterministic Zeroing TRIM。　　最關鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護部分，除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外，一旦閃存出現(xiàn)故障或達到使用壽命，東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
關鍵字：東芝 SSD 閃存

LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實現(xiàn)應用加速

　　LSI公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作，共同將PCIe閃存高速緩存技術卓越的應用加速優(yōu)勢應用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務器。　　該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結合，能進一步加速應用性能，改善EMC存儲環(huán)境下Cisco服務器的響應時間。　　目前，服務器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲性能的提升速度，因此，如何在不影響現(xiàn)有存儲架構的情況
關鍵字： LSI 閃存

Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產品以及未來五年產品規(guī)劃圖

　　2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網(wǎng)絡應用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求，例如1位
關鍵字： Spansion NAND 閃存

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術細節(jié)

IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現(xiàn)。這些技術很可能出現(xiàn)在
關鍵字：表象技術細節(jié) 閃存 NAND 16Gb MLC 解密

閃存成智能手機最貴零部件：價格超顯示屏

　　野村證券最近發(fā)布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發(fā)現(xiàn)，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。　　北京時間5月23日下午消息，野村證券最近發(fā)布《2012智能手機指南》，對智能手機的各種零部件及其供應商的狀況進行了分析，并發(fā)現(xiàn)，智能手機中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。　　該報告顯示，要生產一部現(xiàn)代化的智能手機，需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經(jīng)一度被視為手機中最昂貴的部件，但根據(jù)野村證券的報告，最貴的應該是NAND閃存，
關鍵字：智能手機閃存

一種支持多種閃存的自適應驅動設計

引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性，在系統(tǒng)電源關閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術的發(fā)展，F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標準。目前市面上，NOR Flash和NAND
關鍵字：閃存驅動設計

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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]