閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

NAND閃存市場(chǎng)或?qū)ⅰ氨辣P(pán)”

　　在2011年的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。　　在一段時(shí)間內(nèi)，由于手機(jī)、平板電腦和固態(tài)存儲(chǔ)等產(chǎn)品市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長(zhǎng)速度。　　
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全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用提供突破性能

　　Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴(kuò)大業(yè)內(nèi)最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列，從而為新一代汽車(chē)、消費(fèi)電子和游戲等應(yīng)用注入強(qiáng)勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對(duì)快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)、提升互動(dòng)性和啟動(dòng)性能而開(kāi)發(fā)，使得電子設(shè)備在按鍵后幾乎能夠立即啟動(dòng)，提供最快的交互用戶體驗(yàn)。這次擴(kuò)大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)提升最高達(dá)45%。　　Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對(duì)交互游戲應(yīng)用的2Gb GL-S產(chǎn)品，該產(chǎn)品已于2
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CSR采用TSMC先進(jìn)技術(shù)推出新一代無(wú)線產(chǎn)品

　　無(wú)線連接、定位與音頻平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠商CSR與TSMC昨日共同發(fā)布擴(kuò)大雙方合作關(guān)系，CSR已采用TSMC先進(jìn)的90納米嵌入式閃存制程技術(shù)、硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與射頻CMOS制程推出新一代的無(wú)線產(chǎn)品。　　
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閃存要成為硬盤(pán)的終結(jié)者

　　根據(jù)摩爾定律，性價(jià)比更高的閃存將取代硬盤(pán)，飛快占領(lǐng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。　　有些嘎吱作響的東西很容易讓人聯(lián)想到文物，比如硬盤(pán)。　　
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采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對(duì)用戶有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使用一個(gè)較低版本的固件，從而會(huì)使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個(gè)不支持的指定設(shè)備。在如今競(jìng)爭(zhēng)激烈
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SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝

　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別，2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開(kāi)端，同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開(kāi)始。　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營(yíng)業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?！? 　　
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2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將進(jìn)一步增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。　　2010年NAND閃存銷(xiāo)售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長(zhǎng)38%。預(yù)計(jì)今年銷(xiāo)售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長(zhǎng)18%。而NAND閃存比特出貨量增長(zhǎng)幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長(zhǎng)72%，達(dá)到193億GB。　　盡管增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁，但2011年底市場(chǎng)形勢(shì)可能發(fā)生變化。考慮到目前市場(chǎng)中樂(lè)觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過(guò)度投資擴(kuò)大生產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時(shí)供應(yīng)可能超過(guò)需求。預(yù)計(jì)201
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美ITC裁定三星及其客戶未侵犯飛索閃存專(zhuān)利

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“ITC”)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四裁定，三星及其客戶沒(méi)有侵犯飛索半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“飛索”)的兩項(xiàng)芯片專(zhuān)利。　　如果三星及其客戶侵犯了飛索的專(zhuān)利，蘋(píng)果、RIM等公司的多項(xiàng)產(chǎn)品將被禁止進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)。飛索曾經(jīng)是NOR閃存領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。　　
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產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn) - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會(huì)上，該標(biāo)準(zhǔn)制定取得的重大進(jìn)展。該標(biāo)準(zhǔn)旨在成為智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)電子設(shè)備所使用的基于閃存的最先進(jìn)的存儲(chǔ)規(guī)范。UFS標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設(shè)備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊(duì)功能，以便提高隨機(jī)讀寫(xiě)速度。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)將在未來(lái)3個(gè)月內(nèi)完成。　　
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基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案

基于SPIFI外設(shè)的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI，已申請(qǐng)專(zhuān)利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
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美光發(fā)布25nm閃存芯片

　　正當(dāng)涉足NAND閃存業(yè)務(wù)整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強(qiáng)大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當(dāng)前的閃存市場(chǎng)處于更加有利的地位。　　這款命名為ClearNAND的芯片分為標(biāo)準(zhǔn)型和增強(qiáng)型兩個(gè)版本，標(biāo)準(zhǔn)版的存儲(chǔ)容量為8GB和32GB， ClearNAND增強(qiáng)版的存儲(chǔ)容量為16GB和64GB。　　
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專(zhuān)門(mén)IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對(duì)象。　　
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應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),　　簡(jiǎn)介　　嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器。　　閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：
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三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　2010年5月在三星會(huì)長(zhǎng)李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動(dòng)工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片以上。　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
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基于浮柵技術(shù)的閃存

基于浮柵技術(shù)的閃存,　　恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始電壓值)。在附加的編程和閾壓感應(yīng)電路的輔助下，這種效應(yīng)可用保存和檢索數(shù)據(jù)?！　≡趯?xiě)操作期間，閃
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]