EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
閃存
閃存 文章 進(jìn)入閃存 技術(shù)社區(qū)
東芝全球首家出貨32nm工藝閃存
- 東芝昨天宣布,于業(yè)界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中,全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨,主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示,首批32nm NAND閃存將主要用于存儲(chǔ)卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備,未來會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。 目前,東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應(yīng)商,使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應(yīng)用將進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率,減小芯片體積,適應(yīng)更高容量,更小巧的掌上產(chǎn)品需求。 東芝的32nm工藝32Gb
- 關(guān)鍵字: 東芝 納米 閃存
恒憶推出針對(duì)汽車和嵌入式應(yīng)用的工作電壓為5伏的NOR閃存
- 恒憶近日宣布公司正在擴(kuò)展其主流NOR閃存產(chǎn)品線,其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產(chǎn)品。此器件工作電壓為5伏,非常適合汽車和嵌入式應(yīng)用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb,具有快速存儲(chǔ)執(zhí)行、靈活及穩(wěn)定等特性,適合于汽車、軍工、工廠自動(dòng)化及航天應(yīng)用。 汽車及嵌入式應(yīng)用需要高質(zhì)量、高可靠性及高穩(wěn)定性的器件供給——有些要求達(dá)5年,或甚至更長(zhǎng)。然而,大多數(shù)存儲(chǔ)器供應(yīng)商趨于最新更新的技術(shù),這些關(guān)鍵產(chǎn)品生產(chǎn)通常會(huì)斷斷續(xù)續(xù),這
- 關(guān)鍵字: Numonyx 嵌入式 閃存
靈活應(yīng)變 創(chuàng)新領(lǐng)航——恒億CTO兼副總裁Edward Doller

- 由于全球性金融危機(jī),很多公司正經(jīng)歷前所未有的艱難時(shí)期。恒億(Numonyx)2008年5月成立,前身是Intel和ST的內(nèi)存部門。公司自成立之初,就成為全球三大閃存供應(yīng)商之一,最大的無線通信MCP(多芯片封裝,可融合多種內(nèi)存技術(shù))供應(yīng)商。迄今為止,恒億財(cái)務(wù)狀況良好,2008年4季度速動(dòng)比率*達(dá)到2以上,在同行中居領(lǐng)先地位。 Edward Doller 恒億CTO兼副總裁 恒億的策略是給客戶提供一套完整的解決方案,包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲(chǔ)技術(shù)——PCM
- 關(guān)鍵字: Numonyx MCP 閃存
Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用
- 1. E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內(nèi)核,但將微處理器的內(nèi)核,ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體,構(gòu)成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn) - 關(guān)鍵字: E5 應(yīng)用 存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
恒憶首次登陸北京IIC盛會(huì)
- 2009年3月5日,北京訊,第十四界國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China)作為中國(guó)最具影響力的電子行業(yè)盛會(huì)于3月5日在北京隆重開幕。恒憶(Numonyx)的首席技術(shù)官兼副總裁Edward Doller在大會(huì)上發(fā)表了重要主題演講,解讀存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的不斷演進(jìn)和目前所面臨的挑戰(zhàn),并分享了恒憶在閃存領(lǐng)域的最新技術(shù)突破,以及當(dāng)前在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)下,公司如何保持持續(xù)領(lǐng)先的應(yīng)對(duì)策略。 由于全球性金融危機(jī),2008年對(duì)于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙,在這種困難時(shí)期,恒憶公司憑借其先進(jìn)的解決方案,
- 關(guān)鍵字: Numonyx 閃存 IIC-China
全球最大閃存芯片商破產(chǎn)中國(guó)區(qū)勉力自保
- ??????? 金融危機(jī)下的消費(fèi)疲軟引致芯片需求減弱、價(jià)格下跌。2009年的春天,對(duì)內(nèi)存廠商來說無疑是個(gè)嚴(yán)冬。此前,芯片巨頭德國(guó)英飛凌旗下奇夢(mèng)達(dá)公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù),引發(fā)內(nèi)存界動(dòng)蕩;緊接著又傳出全球排名前十的芯片廠,中國(guó)臺(tái)灣茂德科技也將倒閉,有消息稱臺(tái)灣當(dāng)局已放棄為茂德科技注資挽救。 ??????? 內(nèi)存業(yè)的悲劇還在繼續(xù)上演。前日,全球最大NOR閃存芯片商美國(guó)飛索公司(
- 關(guān)鍵字: Spansion 閃存 金融危機(jī) 破產(chǎn)
傳全球頂級(jí)內(nèi)存芯片廠茂德將倒閉
- 2009年1月底,全球第二大DRAM公司,300mm晶圓工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和個(gè)人電腦、服務(wù)器、DRAM市場(chǎng)最大的供應(yīng)商之一奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)宣布倒閉。該公司由總部位于德國(guó)的英飛凌科技在2006年5月分拆而成。 奇夢(mèng)達(dá)的業(yè)務(wù)領(lǐng)域主要集中在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域。包括電腦主機(jī)中的DRAM內(nèi)存條,電腦顯示卡的顯存顆粒,消費(fèi)級(jí)DRAM內(nèi)存,移動(dòng)存儲(chǔ)裝置中的高速D
- 關(guān)鍵字: 奇夢(mèng)達(dá) DRAM 閃存
NOR閃存巨頭Spansion日本子公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)
- 北京時(shí)間2月10日消息,全球最大NOR閃存廠商Spansion的日本子公司周二表示已經(jīng)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。Spansion日本子公司的負(fù)債總額達(dá)到8.1億美元,該公司的破產(chǎn)是今年以來日本制造業(yè)最大的破產(chǎn)案例。 Spansion是全球最大的NOR閃存廠商,不過市場(chǎng)普及率更高的是NAND閃存。三星和東芝是NAND的領(lǐng)導(dǎo)廠商。 NOR閃存被用于手機(jī)等領(lǐng)域,這種閃存的數(shù)據(jù)讀取速度要比NAND閃存快一些,不過它的數(shù)據(jù)寫入速度要比NAND慢。 根據(jù)信貸研究機(jī)構(gòu)帝國(guó)征信公司(Teikoku Data B
- 關(guān)鍵字: Spansion 閃存 破產(chǎn)
SanDisk與索尼聯(lián)合開發(fā)TB級(jí)閃存技術(shù)
- 據(jù)存儲(chǔ)在線報(bào)道,在近期的CES展會(huì)上,SanDisk與索尼共同宣布了一項(xiàng)計(jì)劃,雙方打算聯(lián)合開發(fā)兩款新型大容量閃存,將閃存容量提升到TB級(jí)以上。 這兩款新產(chǎn)品目前被暫時(shí)定名為"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式將擴(kuò)展目前索尼所用的"Memory Stick PRO&
- 關(guān)鍵字: SanDisk 閃存 索尼
解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過整合I...
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 技術(shù)細(xì)節(jié) 位密度 多晶硅
立足嵌入式應(yīng)用 恒憶尋求高利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)

- 走在下行周期上的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī),猶如雪上加霜。而作為整個(gè)行業(yè)晴雨表的存儲(chǔ)器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢(shì)。英特爾和意法半導(dǎo)體剝離閃存事業(yè)部后,聯(lián)合成立的閃存公司恒憶(Numonyx)卻在今年4月掛牌營(yíng)運(yùn),在這樣一個(gè)人人自危的時(shí)候,作為全球最大的閃存公司,恒憶是如何看待閃存市場(chǎng)前景的? 恒憶(亞洲)副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl “存儲(chǔ)器市場(chǎng)的確在一些細(xì)分市場(chǎng)除了先樂周期性衰退,但是我們相信
- 關(guān)鍵字: 恒憶 閃存 200812
閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長(zhǎng)壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
