閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

2012年之前NAND閃存將保持價格上升趨勢

　　美國從事半導體相關(guān)市場調(diào)查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。　　IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調(diào)查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經(jīng)濟低迷的2009年也不會例外。　　供貨容量也將大幅增長。即使是全球經(jīng)濟低迷的200
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分析師：NAND閃存價格將上漲

　　根據(jù)IC Insights近期發(fā)布的McClean Report年中更新版顯示，閃存市場將發(fā)生變化，在未來幾年將從買方市場轉(zhuǎn)向賣方市場。　　閃存出貨量和位需求量預計將增長，但閃存產(chǎn)能的投資這兩年正在減小。IC Insights預計2009年閃存資本支出將下滑至前一年的25%，約30億美元。這將為2012年前的平均銷售價格帶來上行壓力。　　2009年閃存銷售量仍將增長，盡管經(jīng)濟形勢極具挑戰(zhàn)。受手持設備、無線消費電子、電腦和通訊設備需求的帶動，閃存位出貨量在2005年至2008年之間達到了三位數(shù)百
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飛索半導體瘦身專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務

　　“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護而進行的戰(zhàn)略調(diào)整。　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。　　積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅(qū)動力——嵌入式移動應用市場。　　Harari在閃存峰會的主題演講中
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耶魯大學和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器

　　耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。　　耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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第二季度芯片市場回暖 IC廠商排名調(diào)整

　　市場研究公司IC Insights指出，第二季度芯片市場銷售額的反彈使IC廠商排名發(fā)生了較大變化。　　以銷售額來計，第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。　　Intel仍然位居榜首，Samsung、Toshiba、TI緊隨其后。由于第二季度表現(xiàn)突出，TSMC從第十躍至第五。　　ST排名第六，后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix從第13名升至第10名。另一個排名上升的公司是Media
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大容量閃存器件K9KAG08UOM與DSP接口設計

關(guān)鍵字：閃存數(shù)字信號處理器硬件接口軟件設計 K9KAG08U0M

NAND閃存價格波動破壞SSD市場普及性

　　周一消息研究機構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。　　iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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SanDisk推出新品瞄準上網(wǎng)本市場

　　據(jù)國外媒體報道，正準備搶攻快速成長上網(wǎng)本市場的SanDisk，在周二臺北電腦展上發(fā)布了新款閃存產(chǎn)品。　　SanDisk此次推出SDHC閃存記憶卡，以及固態(tài)硬盤PSSD，共P2及S2兩款產(chǎn)品。SanDisk的競爭對手包括美光、三星電子、海力士等。　　SanDisk公司所推出的固態(tài)硬盤，特別適合用于以ARM微處理器為核心的上網(wǎng)本，不過SanDisk高管指出，該產(chǎn)品也可以用在以英特爾Atom為核心的系統(tǒng)。固態(tài)硬盤是使用閃存作為儲存媒介，耗電量較傳統(tǒng)硬盤低。　　SanDisk認為，閃存芯片速度更快
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新型存儲設備可保存數(shù)據(jù)10億年

　　科學家們?nèi)涨把兄瞥鲆环N新型存儲設備,其最大特點是存儲容量大,保存時間久. 　　這種新型存儲設備其實就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內(nèi),通過鐵顆粒在納米管內(nèi)來回穿梭作為一種有效的存儲方式.研究人員表示,這種存儲設備每平方英寸可存儲1TB(1000G)數(shù)據(jù),較當前存儲技術(shù)更為有效.此外,新設備的數(shù)據(jù)保存時間更持久,可長達10億年,甚至更久. 　　相比之下,當前的存儲技術(shù)根本無法將數(shù)據(jù)保持如此之久.例如,普通的閃存技術(shù)只能保存數(shù)據(jù)3至5年. 　　寫在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應芯片。　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
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SanDisk首席執(zhí)行官稱摩爾定律未來5年后失效

　　消息稱,閃存產(chǎn)品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來5年后摩爾定律將會失效. 　　摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內(nèi)容是:芯片上集成的晶體管數(shù)量每兩年將翻一番.哈拉里說,閃存容量在過去19年中翻了14番,遠高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番. 　　哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個存儲單元的電子數(shù)量.最初,每個存儲單元的電子數(shù)量數(shù)以百萬計,現(xiàn)在已經(jīng)減少到了數(shù)百個.哈拉里
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。　　這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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Spansion一季度調(diào)整盤點為重組精心準備

　　經(jīng)歷了2月35%的大裁員、Spansion Japan申請破產(chǎn)保護，以及易帥風波之后，Spansion發(fā)布了截至到2009年3月29日的第一財季財報。　　好消息是第一季度的閃存市場具有一個相對穩(wěn)定的價格環(huán)境，Spansion第一季度凈銷售額為4億美元。由于公司管理層實行積極舉措來降低成本，第一季度非GAAP運營總費用為1.12億美元，其中包括1300萬美元的重建費用，比2008年第一季度減少了約43%。凈虧損為1.12億美元，與2008年同期相比降低了800萬美元。截止至2009年第一季度，Spa
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三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存

　　三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND，這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進的30nm工藝，適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝，其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。　　每一個32GB moviNAND都有三部分組成，其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個MMC控制器，符合最新eMMCv4.3規(guī)范，支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個固件，能夠改善處理、存儲大容量數(shù)據(jù)
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]