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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

      DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲

      •   存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示,盡管下滑趨勢依舊,但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。   來自交易市場的消息稱,在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨,下周將進行新一輪的存貨補充。   不過inSpectrum也認為,由于零售渠道的根本需求依舊很弱,所以這種價格反彈只能是短期行為,不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格,這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
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      基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

      • 基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用, 目前,針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及,基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中?! ?/li>
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      DRAM銷售將于后年衰退近三成

      •   國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變,至2012年銷售恐將衰退近三成。   顧能表示,由于初期PC市場表現(xiàn)強勁和供應(yīng)減少,使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲,今年收益逼近420億美元,較預(yù)期獲利高出82.5%,出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變,2012年的銷售恐將衰退29%。   不過,快閃存儲器市場在智能型手機和平版媒體強勁的銷售帶動下,收益至2013年皆會維持原有的成長。
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      分析師認為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套

      •   無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。   要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇,預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱,然而按Web-Feet Research報告,其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。   按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告,NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元,上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%,達215億美元。   這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。   Apple及其它OEM釆購大量的閃存,使得市場中有些購買者采
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      基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計

      • 摘要:提出一種在單片機系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量NAND Flash存儲器的方法。與一般方法相比,編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計算機文件系統(tǒng)的規(guī)范,只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時序?qū)ζ溥M行操作,把NANDFl
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      TIMC敗部復(fù)活 投入閃存產(chǎn)業(yè)再造

      •   臺灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC,在整合DRAM受挫后,各界一度以為(宣明智)白忙一場,不過經(jīng)濟部通過TIMC與茂德、翔淮先進光罩及晶豪科等公司合作,共同投入雙子星技術(shù)開發(fā),讓TIMC敗部復(fù)活,TIMC表示,目前儲存型快閃記憶體產(chǎn)業(yè)主要還是掌握在美日韓手上,臺灣缺乏專利與自主技術(shù),產(chǎn)業(yè)再造是業(yè)界必走的路。   由聯(lián)電榮譽副董事長宣明智主導(dǎo)的TIMC,當初是應(yīng)政府救DRAM產(chǎn)業(yè)而籌設(shè),但在籌設(shè)過程中,也獲得日商爾必達的善意回應(yīng),但DRAM的合約價和市場價格,已在籌設(shè)過程中回到成本之上,業(yè)界從一天賠一棟帝寶回
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      Spansion卷土重來,分析師眾說紛紜話前景

      • Spansion目前正準備高調(diào)卷土重來,這次能否成功,抑或再次失?。糠治鰩煂pansion的前景眾說紛紜。上個...
      • 關(guān)鍵字: Spansion  半導(dǎo)體  NOR  閃存  

      嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺的存儲管理策略

      • 嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺的存儲管理策略,開發(fā)了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫次數(shù),引入了損壞管理策略,在這種策略中采用了動態(tài)存儲空間管理模式和先入先出(FIFO)策略。所采用的冗余設(shè)計、快速計算和跟蹤策略還可以延長核心扇區(qū)使用壽命,保證系統(tǒng)啟動可靠的服務(wù)。
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      NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

      • NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
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      PIC單片機與串行閃存的SPI接口設(shè)計

      • 本文介紹的M25P16與PIC16F877A的接口已應(yīng)用于自來水流量數(shù)據(jù)采集的本地存儲中。運行穩(wěn)定可靠,未發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失現(xiàn)象,對其他應(yīng)用有一定的參考價值。
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      傳Spansion將出售兩座日本半導(dǎo)體廠給德州儀器

      •   NOR型閃存大廠飛索半導(dǎo)體(SpansionInc.)日本子公司Spansion Japan Ltd.可望在5月底以100億至200億日圓價格出售位于日本福島縣會津若松市(Aizuwakamatsu)廠區(qū)的兩座半導(dǎo)體廠給德州儀器(TexasInstrumentsInc.)。   報導(dǎo)指出,德儀計劃將12英寸廠生產(chǎn)設(shè)備運回美國德州,并將8英寸廠調(diào)整為模擬芯片生產(chǎn)線。德儀執(zhí)行長RichTempleton甫于4月26日指出,目前產(chǎn)出正處于歷史最高水淮,今年產(chǎn)能將因去年購買的8英寸晶圓設(shè)備上線而呈現(xiàn)逐季攀高
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      NAND閃存銷售Q1微增 三星東芝主宰市場

      •   據(jù)市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示,三星和東芝主宰了NAND閃存市場,僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%,緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。   按美元統(tǒng)計,今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元,比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此,你可以計算出供應(yīng)商的實際銷售收入。iSuppli稱,這是一個好消息,因為歷史
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      今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山

      •   據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場調(diào)查報告顯示,三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場的絕大部分份額,其中三星的營收 份額最高,達到了38.5%,東芝則位居第二為33.8%,兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算,今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元,比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響,每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮,而今年則反其道而行,iSuppli
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      東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

      •   東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線,生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。   目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù),主要應(yīng)用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片,需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù),因此,東芝也將進行相應(yīng)的技術(shù)升級。目前,東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設(shè)備,預(yù)計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布,東芝在股市中漲幅達3.5%,遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
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      閃存 介紹

      【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]

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