閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力

應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中，NOR閃存一直以來(lái)仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時(shí)特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
關(guān)鍵字：內(nèi)存處理能力提升閃存串行 NOR 應(yīng)用

NOR市場(chǎng)仍有可為需找尋平衡點(diǎn)

　　近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對(duì)外宣稱(chēng)推出45nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。這對(duì)在與NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)中處于下風(fēng)的NOR來(lái)說(shuō)無(wú)疑是一大利好。這一技術(shù)對(duì)NOR閃存的市場(chǎng)發(fā)展會(huì)帶來(lái)怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場(chǎng)格局是否會(huì)發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點(diǎn)。　　NOR技術(shù)仍在進(jìn)步　　截至2020年，每個(gè)用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計(jì)將達(dá)到7臺(tái)左右，實(shí)現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無(wú)縫的設(shè)備間連接。在此過(guò)程中，閃存&ldqu
關(guān)鍵字： Spansion 閃存 NOR

探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫(xiě)循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。　　遺憾的是，沒(méi)有任何廠商公開(kāi)談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測(cè)編程/擦寫(xiě)循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫(xiě)入量，再加上寫(xiě)入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫(xiě)入了多少數(shù)據(jù)。　　不過(guò)還是有個(gè)變通方法
關(guān)鍵字：三星閃存 TLC NAND

LSI AIS峰會(huì)變大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)為機(jī)遇

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國(guó)召開(kāi)第五屆加速創(chuàng)新年度峰會(huì)(AIS)。個(gè)人和企業(yè)使用越來(lái)越多的設(shè)備在網(wǎng)上做更多工作，共享更多內(nèi)容，這個(gè)現(xiàn)象不僅形成了數(shù)據(jù)大爆炸，同時(shí)給數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字： LSI 閃存

存儲(chǔ)器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足

　　最近半導(dǎo)體廠商第三季度財(cái)報(bào)陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷(xiāo)售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個(gè)季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動(dòng)不止的市場(chǎng)中保持正增長(zhǎng)，未來(lái)存儲(chǔ)器市場(chǎng)格局將如何演變?為此，《中國(guó)電子報(bào)》記者獨(dú)家專(zhuān)訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會(huì)成員John Kispert。　　貢獻(xiàn)來(lái)自NOR和新NAND閃存　　談及Spansion增長(zhǎng)的動(dòng)力，John Kispert坦言，業(yè)績(jī)穩(wěn)定增長(zhǎng)主要是因?yàn)镹O
關(guān)鍵字： Spansion 半導(dǎo)體閃存

在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

在嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲(chǔ)技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒(méi)有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRA
關(guān)鍵字：閃存替代方案用作 FRAM 設(shè)計(jì) 中將嵌入式

Spansion公司發(fā)布2012年第三季度財(cái)報(bào)

行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(紐約證交所代碼: CODE)日前發(fā)布截至2012年9月30日第三財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。
關(guān)鍵字： Spansion GAAP 閃存嵌入式

宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存

　　提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“宏力半導(dǎo)體”)與國(guó)內(nèi)主要的智能卡設(shè)計(jì)公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過(guò)2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來(lái)0.38平方微米的閃存存儲(chǔ)單元面積顯著減小了近50%(小于
關(guān)鍵字：宏力閃存

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡(jiǎn)介

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)簡(jiǎn)介,簡(jiǎn)介嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器。閃存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU程序代碼
關(guān)鍵字：閃存簡(jiǎn)介技術(shù) 架構(gòu) 控制器

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),簡(jiǎn)介　　嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器?！　￠W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：CPU
關(guān)鍵字：閃存技術(shù) 控制器架構(gòu)

蘋(píng)果和亞馬遜從閃存上賺了我們多少錢(qián)?

?　　蘋(píng)果的iPad和亞馬遜的KindleFire除了在外觀和給人的第一印象有著諸多不同，還有這一個(gè)很重要的差異：為了獲得更大的儲(chǔ)存容量，用戶需要支付的金額不同。盡管如此，無(wú)論是蘋(píng)果還是亞馬遜都將從中獲取了暴利，這也是他們利潤(rùn)的最大組成部分。
關(guān)鍵字：蘋(píng)果閃存

Spansion NOR閃存營(yíng)業(yè)收入超過(guò)美光

　　Spansion的NOR閃存營(yíng)業(yè)收入超過(guò)美光，為2009年以來(lái)首次. 第二季度總體NOR營(yíng)業(yè)收入達(dá)到8.37億美元. 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入內(nèi)存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，一度破產(chǎn)的Spansion第二季度在多個(gè)與內(nèi)存相關(guān)的領(lǐng)域展現(xiàn)實(shí)力，其N(xiāo)OR閃存營(yíng)業(yè)收入超過(guò)業(yè)內(nèi)龍頭廠商美光，為三年來(lái)首次。　　美國(guó)Spansion第二季度營(yíng)業(yè)收入高于預(yù)期，從第一季度的2.19億美元增長(zhǎng)到2.33億美元。這是Spansion自2009年第一季度以來(lái)首次在業(yè)內(nèi)營(yíng)業(yè)收入排名中位居第一，而原來(lái)的龍頭美
關(guān)鍵字： NOR 閃存

基于閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)簡(jiǎn)介

包裝信息可能包含：指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對(duì)用戶有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使用一個(gè)較低版本的固件，從而會(huì)使設(shè)備的部分性能降低，或者正在裝載一個(gè)不支持的指定設(shè)備。在如今競(jìng)爭(zhēng)激烈
關(guān)鍵字：閃存代碼發(fā)布代碼保護(hù)

基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)方案

摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡(jiǎn)單地使用大容量NAND FLASH存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比，編寫(xiě)應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND FLASH的讀、寫(xiě)、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFL
關(guān)鍵字： 3231 EPG 閃存播放器

LSI全新Nytro MegaRAID(R)加速卡性能提高47倍

LSI 公司(NYSE：LSI)日前宣布面向全球渠道推出 PCIe(R)閃存 LSI(R) Nytro(TM) MegaRAID(R)卡，為直連存儲(chǔ)(DAS)提供簡(jiǎn)單、透明和低成本的應(yīng)用加速功能。Nytro MegaRAID 卡的獨(dú)特之處在于采用領(lǐng)先的 LSI 雙核片上 RAID(ROC)技術(shù)，將 PCIe 閃存技術(shù)、智能緩存軟件與企業(yè) RAID 數(shù)據(jù)保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)完美結(jié)合。
關(guān)鍵字： LSI 閃存 MegaRAID

共575條 18/39 |‹ « 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]