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臺(tái)積電
臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠預(yù)計(jì)于2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
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臺(tái)積電計(jì)劃關(guān)閉部分EUV光刻機(jī)：先進(jìn)工藝過(guò)剩
- EUV光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備，只有ASML公司才能生產(chǎn)，單臺(tái)售價(jià)約10億人民幣，之前三星、臺(tái)積電等公司還要搶著買(mǎi)，然而今年半導(dǎo)體形勢(shì)已經(jīng)變了，EUV光刻機(jī)反而因?yàn)楹碾娞?，臺(tái)積電計(jì)劃關(guān)閉省電。來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士手機(jī)晶片達(dá)人的消息稱(chēng)，由于先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率開(kāi)始下滑，而且評(píng)估之后下滑時(shí)間會(huì)持續(xù)一段周期，臺(tái)積電計(jì)劃從年底開(kāi)始，將部分EUV 設(shè)備關(guān)機(jī)，以節(jié)省EUV設(shè)備巨大的耗電支出。據(jù)了解臺(tái)積電目前擁有大約80臺(tái)EUV光刻機(jī)，主要用于7nm、5nm及以下的先進(jìn)工藝，今年9月份還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，都需要E
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臺(tái)積電先進(jìn)封裝受追捧，消息稱(chēng)英偉達(dá)高端芯片有意采用 SoIC 技術(shù)
- IT之家 8 月 31 日消息，DigiTimes 稱(chēng)，目前英偉達(dá)正加緊與臺(tái)積電在高端芯片上的合作。消息人士稱(chēng)，英偉達(dá)正考慮 HPC 芯片采用臺(tái)積電的 SoIC 技術(shù)。隨著摩爾定律即將面臨物理極限，囊括小芯片（Chiplet）、異質(zhì)整合的先進(jìn)封裝技術(shù)，在高效運(yùn)算（HPC）芯片領(lǐng)域的話(huà)題火熱程度，從 2022 年 8 月下旬的 Hot Chips 大會(huì)一路延續(xù)至今...據(jù)公開(kāi)資料，SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package）即小外形集成電路封裝，指外
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臺(tái)積電魏哲家：3 納米即將量產(chǎn)，2 納米保證 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 8 月 30 日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)，臺(tái)積電總裁魏哲家今日現(xiàn)身 2022 臺(tái)積電技術(shù)論壇并提到，臺(tái)積電 3 納米思考良久維持 FF 架構(gòu)并即將量產(chǎn)，至于 2 納米也可和在座各位保證 2025 年量產(chǎn)會(huì)是最領(lǐng)先技術(shù)。據(jù)悉，臺(tái)積電 2 納米技術(shù)和 3 納米技術(shù)相比，功效大幅往前推進(jìn)。在相同功耗下，速度增快 10~15%，或在相同速度下，功耗降低 25~30%。值得一提的是，聯(lián)發(fā)科全球副總裁兼無(wú)線(xiàn)通信事業(yè)部總經(jīng)理徐敬全 JC Hsu 在演講期間展示合作簡(jiǎn)報(bào)，魏哲家眼尖發(fā)現(xiàn)“效能僅提升 2
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Credo正式推出基于臺(tái)積電5nm及4nm先進(jìn)制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品
- ?Credo Technology（納斯達(dá)克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺(tái)積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶(hù)在高性能計(jì)算、交換芯片、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長(zhǎng)距（LR+）、長(zhǎng)距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進(jìn)的混合信號(hào)以及數(shù)字信號(hào)處理（DSP）1
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力拚臺(tái)積電押寶3納米GAAFET技術(shù)，三星3年內(nèi)良率成關(guān)鍵
- 韓國(guó)媒體表示，韓國(guó)三星計(jì)劃3年內(nèi)創(chuàng)建GAAFET技術(shù)3納米節(jié)點(diǎn)，成為芯片代工業(yè)界的游戲規(guī)則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺(tái)積電?！禕usinessKorea》指出，GAAFET技術(shù)是新時(shí)代制程，改善半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術(shù)生產(chǎn)芯片比FinFET更精確控制電流。市場(chǎng)研究調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce報(bào)告指出，2021年第四季臺(tái)積電全球芯片代工產(chǎn)業(yè)以高達(dá)52.1%市場(chǎng)占有率狠甩韓國(guó)三星，為了追上臺(tái)積電，三星押注GAAFET技術(shù)，并首先用于3納米
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英特爾不是輸給了 AMD 和臺(tái)積電，而是輸給了自己
- 摘要市值被反超，不是 AMD 太牛，而是英特爾太拉胯。7 月 29 日，英特爾發(fā)布財(cái)報(bào)后，股價(jià)大跌近 9%，而 AMD 股價(jià)上漲超 3%，以 1530 億美元的市值再次超過(guò)英特爾（1480 億美元），這一具有象征意義的信號(hào)在 5 天后 AMD 財(cái)報(bào)發(fā)布時(shí)得到了強(qiáng)化。一邊是英特爾公布了自 1999 年以來(lái)最差的財(cái)報(bào)表現(xiàn)，收入同比下降 22%，達(dá) 153 億美元；而另一邊，AMD 營(yíng)收連續(xù)第八個(gè)季度創(chuàng)紀(jì)錄地高增長(zhǎng)，本季度同比增長(zhǎng) 70%，達(dá) 66 億美元，實(shí)力打臉英特爾前 CEO Brian Krzanich
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全球最大芯片制造商臺(tái)積電(TSMC)公布創(chuàng)紀(jì)錄利潤(rùn)，緩解了市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)逆風(fēng)的擔(dān)憂(yōu)
- 全球最大的芯片制造商臺(tái)積電(TSMC)公布，第二季度實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的凈利潤(rùn)。然而，臺(tái)積電 CEO CC Wei 表示，該公司的部分資本支出將“推遲到2023年”強(qiáng)勁的業(yè)績(jī)和前景(但對(duì)支出持謹(jǐn)慎態(tài)度)突顯出，在人們擔(dān)心價(jià)格上漲和消費(fèi)者需求受到影響之際，芯片制造商正謹(jǐn)慎行事。2019年6月5日，星期三，臺(tái)積電在新竹的總部掛出了“臺(tái)積電”的標(biāo)牌。全球最大的芯片制造商臺(tái)積電(TSMC)公布第二季度凈利潤(rùn)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄水平，這有助于緩解市場(chǎng)對(duì)高通脹導(dǎo)致的需求疲軟和部分半導(dǎo)體供過(guò)于求的擔(dān)憂(yōu)。以下是截至6月30日的3個(gè)月的一
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汽車(chē)廠商急定25片晶圓 臺(tái)積電嘲諷：難怪你得不到支持
- 過(guò)去兩年中，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張，受影響最多的領(lǐng)域之一就是汽車(chē)芯片，一些芯片甚至漲價(jià)上百倍，這樣還不一定買(mǎi)得到，這期間臺(tái)積電成了香餑餑，很多廠商都急忙找臺(tái)積電下單生產(chǎn)芯片。 然而緊急時(shí)刻找臺(tái)積電，得到的不一定是支持，還有可能是臺(tái)積電的嘲諷?！ ?jù)報(bào)道，臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家日前透露了一則內(nèi)幕消息，在汽車(chē)缺芯爆發(fā)之前，他從來(lái)沒(méi)有接過(guò)汽車(chē)廠商的求助電話(huà)，過(guò)去兩年就有很多廠商的高層跟他來(lái)電，表現(xiàn)好像老朋友一樣。 其中有一家公司的高層緊急致電，表示急需25片晶圓支持，希望臺(tái)積電幫忙，然而魏哲家的回應(yīng)毫不客氣
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臺(tái)積電美國(guó) 5nm 芯片廠舉行上梁典禮，預(yù)計(jì) 2024 年量產(chǎn)
- IT之家7 月 28 日消息，兩年前，臺(tái)積電宣布將投資數(shù)十億美元，在美國(guó)亞利桑那州廠建立 5nm 晶圓廠。該工廠于 2021 年 4 月動(dòng)工興建，預(yù)計(jì) 2024 年?duì)I運(yùn)量產(chǎn)，月產(chǎn)能 2 萬(wàn)片。昨日，臺(tái)積電為該工廠舉行了上梁典禮。臺(tái)積電的領(lǐng)英（linkedin）賬號(hào)顯示，本次上梁典禮有 4000 多名臺(tái)積電員工及合作伙伴參加，他們一起慶祝了臺(tái)積電 5nm 工廠的新里程碑。該典禮的舉行意味著該工廠的基礎(chǔ)設(shè)施全部完工，即將開(kāi)始安裝設(shè)備進(jìn)行調(diào)試。該工廠未來(lái)產(chǎn)能以 5nm 工藝為主，這將是美國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。此
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赴英特爾投片 聯(lián)發(fā)科強(qiáng)調(diào)與臺(tái)積電緊密伙伴不變
- 英特爾（Intel）、聯(lián)發(fā)科宣布將建立晶圓代工合作關(guān)系，未來(lái)聯(lián)發(fā)科將會(huì)在Intel 16成熟制程投片量產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科對(duì)此指出，公司向來(lái)采取多元供貨商策略，除在高階制程持續(xù)與臺(tái)積電維持緊密伙伴關(guān)系沒(méi)有改變外，與英特爾的此合作將有助于提升聯(lián)發(fā)科技成熟制程的產(chǎn)能供給。聯(lián)發(fā)科表示，繼與英特爾在5G data card的合作后，著眼于快速成長(zhǎng)的全球智能裝置，進(jìn)一步與英特爾展開(kāi)Intel 16成熟制程晶圓制造上的合作。聯(lián)發(fā)科技向來(lái)采取多元供貨商策略，除在高階制程持續(xù)與臺(tái)積電維持緊密伙伴關(guān)系沒(méi)有改變外，與英特爾的此合作將有
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聯(lián)發(fā)科攜手英特爾 外資：臺(tái)積電受影響有限
- 聯(lián)發(fā)科與英特爾宣布建立策略合作伙伴關(guān)系，聯(lián)發(fā)科將利用Intel 16制程打造部分產(chǎn)品，市場(chǎng)雖浮現(xiàn)擔(dān)心臺(tái)積電客戶(hù)遭挖角聲音，然外資圈最新共識(shí)看好，臺(tái)積電先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)屹立不搖，營(yíng)收影響幅度不到1％，分析股價(jià)回調(diào)主要來(lái)自情緒面因素?；ㄆ飙h(huán)球證券半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師陳佳儀剖析臺(tái)積電與聯(lián)發(fā)科合作關(guān)系，并指出，聯(lián)發(fā)科身為臺(tái)積電前五大客戶(hù)之一，貢獻(xiàn)臺(tái)積電營(yíng)收比重將近1成，主要采用臺(tái)積電的7與6納米制程，多用在5G智能機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），其次，4G SoC與5G射頻收發(fā)器則采臺(tái)積電16與12納米制程，至于電源管理IC（P
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消息稱(chēng)臺(tái)積電、聯(lián)電等中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體制造商將訪(fǎng)問(wèn)印度
- 據(jù)知情人士透露，中國(guó)臺(tái)灣將派出一個(gè)由半導(dǎo)體制造商組成的代表團(tuán)前往印度進(jìn)行半導(dǎo)體合作。據(jù)《印度斯坦時(shí)報(bào)》報(bào)道，知情人士稱(chēng)，在印度 2021 年兩次訪(fǎng)問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣商討半導(dǎo)體合作后，臺(tái)積電、聯(lián)電等中國(guó)臺(tái)灣代表團(tuán)將在未來(lái)幾周內(nèi)訪(fǎng)問(wèn)印度，將討論在制造電子產(chǎn)品、通信設(shè)備、醫(yī)療保健系統(tǒng)和機(jī)動(dòng)車(chē)所需芯片方面的合作。另一位知情人士表示，此次訪(fǎng)問(wèn)將讓中國(guó)臺(tái)灣制造商更多地了解印度政府去年 12 月宣布的半導(dǎo)體計(jì)劃，即已經(jīng)批準(zhǔn)一項(xiàng) 100 億美元的刺激計(jì)劃，以吸引半導(dǎo)體制造商和顯示器制造商投資，作為努力打造全球電子產(chǎn)品生產(chǎn)中心的一
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 印度
功耗降低30%：臺(tái)積電3nm工藝已量產(chǎn)
- 芯研所7月22日消息，作為臺(tái)積電的第一大客戶(hù)，蘋(píng)果最近幾年的iPhone新品都能首發(fā)臺(tái)積電新一代工藝，不過(guò)今年的iPhone 14是趕不上臺(tái)積電3nm工藝了。iPhone 14系列無(wú)緣3nm主要是臺(tái)積電的3nm工藝今年進(jìn)度有些晚，上半年沒(méi)能量產(chǎn)，拖到下半年，跟不上蘋(píng)果的量產(chǎn)進(jìn)度，不過(guò)最新消息稱(chēng)3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始投片量產(chǎn)，而且在新竹、南科兩個(gè)園區(qū)的工廠同時(shí)量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝。不過(guò)臺(tái)積電官方?jīng)]有確認(rèn)這一消息，臺(tái)積電表示不評(píng)價(jià)市場(chǎng)傳聞。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 制程工藝 3nm
臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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