內(nèi)存芯片識別方法
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冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本
（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功
耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-
Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，
8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，
10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和
4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內(nèi)核，TC
是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常見的編號還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中
ATC10編號的SDRAM上133MHz相當困難；編號ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也
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