內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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125MHZ下，在100MHZ時(shí)CL可設(shè)為2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL
3］，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns，70=[PC133]，
75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；
JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
HITACHI的內(nèi)存芯片編號(hào)例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52
是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)位寬
（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核（現(xiàn)在至
少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOⅡ封裝；
B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2
或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ時(shí)CL是3）。
SIEMENS（西門子）內(nèi)存芯片編號(hào)格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab
為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［
評(píng)論