內(nèi)存芯片識別方法
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DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鐘率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）Rambus（時鐘率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns
，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，
16M8=16*8MB=128MB，133MHz
（7）其它內(nèi)存芯片編號
NEC的內(nèi)存芯片編號例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產(chǎn)品
；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬（4、8、16、32分別代表4位、8
位、16位、32位，當數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數(shù)（3或4
代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如
為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代
表4個Bank和LVTTL）；G5
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