內(nèi)存芯片識別方法
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單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標準工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，
對應(yīng)的標準工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊，U
代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時間，用時鐘周期數(shù)表示，表達時不帶小數(shù)
點，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預
充電時間，用時鐘周期數(shù)表示；ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間，表達時
不帶小數(shù)點，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。
4、RDRAM 內(nèi)存標注格式
其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內(nèi)存容量
；b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量；c代表內(nèi)存支持ECC；d保留；e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)
傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標準工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s
，對應(yīng)的標準工作頻率為800*1/2=400MHZ?！?span id="mbkxe28" class=Apple-converted-space>
5、各廠商內(nèi)存芯片編號
內(nèi)存打假的方法除了識別內(nèi)存標注格式外，還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編
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