內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代
表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）
；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M
、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排
、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代
、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動(dòng)刷新、F=低電壓自動(dòng)刷新）；10
代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H
= 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計(jì)算
一下，方法是用'S'后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星
16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第
評(píng)論