nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒
- 隨著近段時間以來，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設(shè)備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設(shè)備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內(nèi)人士，反復(fù)解讀。 那么，在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設(shè)備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。 閃存顆粒的釋義及廠商 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項(xiàng)目預(yù)
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。 盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
- 關(guān)鍵字： 單片機(jī) flash eeprom
西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價格戰(zhàn)
- 全球硬盤機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴(kuò)產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。 巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
- 關(guān)鍵字： 西數(shù) NAND
第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價格續(xù)揚(yáng)
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
- 關(guān)鍵字： NAND 服務(wù)器
TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續(xù)揚(yáng)
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長。雖然iPh
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND
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