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	nand-flash
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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            • 關鍵字：
                        NAND  存儲器                          
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            投資10nm/3D NAND　晶圓廠設備支出今年增3.7%
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或?qū)?In-house)設備在內(nèi)的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。
　　SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數(shù)成
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            • 關鍵字：
                        晶圓  3D NAND                          
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            中國砸240億美元躍進3D NAND閃存時代
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 國內(nèi)終于要有了存儲，剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術立足。
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            • 關鍵字：
                        3D NAND  存儲                          
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            東芝將向NAND投資8600億日元，預計2016財年銷售不到5萬億日元
            
                                                            
              
                    	
            • 　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。
　　東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關于個人電腦業(yè)務與其他公司進行業(yè)務合并一事，室町表示“希望在201
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            • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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            Flash芯片你都認識嗎？
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點，給大家一個全新認識?！　∫?、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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            • 關鍵字：
                        Flash  EEPROM                          
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            Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉
            
                                                            
              
                    	
            • 　　資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動，讓近年IT基礎架構進入新一波的轉型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。
　　此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領
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            • 關鍵字：
                        Flash  SAS                          
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            2016年迎3D NAND技術拐點，誰輸在起跑線？
            
                                                            
              
                    	
            • 　　為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
　　1、積極導入48層3D技術量產(chǎn)，提高成本競爭力
　　與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
　
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            • 關鍵字：
                        3D NAND  2D                          
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            主流NAND Flash制程轉進遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了？
            
                                                            
              
                    	
            • 除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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            • 關鍵字：
                        NAND  美光                          
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            2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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            • 關鍵字：
                        NAND  三星                          
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            2015年第四季NAND廠商營收排行
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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            • 關鍵字：
                        NAND  SSD                          
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            運用材料工程解決半導體行業(yè)技術拐點的挑戰(zhàn)
            
                                                            
              
                    	
            • 　　今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。
　　由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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            • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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            國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
            
                                                            
              
                    	
            • 　　2015年中國半導體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關注的焦點。
　　TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切，或是有投資關系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
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            • 關鍵字：
                        NAND  SSD                          
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            慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！　』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品：　　Ferri-eMMC?解決方案　　Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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            • 關鍵字：
                        慧榮科技  NAND                          
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            中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片
            
                                                            
              
                    	
            • 未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢，產(chǎn)品應用也有機會從企業(yè)級儲存產(chǎn)品，向下延伸至消費性產(chǎn)品，這也是下一波國內(nèi)半導體的焦點。
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            • 關鍵字：
                        NAND  半導體                          
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            存儲器接連刷新歷史最高紀錄，768Gbit 3D NAND亮相
            
                                                            
              
                    	
            • 　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術取得穩(wěn)步進展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容 豐富?！　〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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                        存儲器  NAND                          
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