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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來(lái)的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器
三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密
- 備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。 三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 圖1：三星T3 2TB S
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D NAND
Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力
- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 美光
2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)
- DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
三星3D V-NAND 32層對(duì)48層 僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？
- 三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 半導(dǎo)體
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
中國(guó)成為全球新建晶圓廠主要推手
- 全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó)。 根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國(guó);而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長(zhǎng)13%、達(dá)到407億美元。 包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期，3D NAND快閃記憶體、10奈
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%
- 據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定，但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。 barron`s.com16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出，三星應(yīng)該會(huì)在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓 (西安廠12萬(wàn)片、Line 16廠接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開，且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。 另外，三星也將善用Line
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中國(guó)半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過(guò)半全球新增產(chǎn)能
- 中國(guó)砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國(guó)。 據(jù)SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠，當(dāng)中有10座設(shè)在中國(guó)，其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢(shì)成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(zhǎng)陳立白日
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
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