nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開

　　三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢(shì)，NAND快閃存儲(chǔ)器市占率逐季甩開東芝等競(jìng)爭(zhēng)者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收來到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)) 　　同期間，東芝NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%，此為歷史新高水平。　　剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp; 　　1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫　　例如，在有對(duì)Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時(shí)，對(duì)
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[ARM筆記]驅(qū)動(dòng)對(duì)設(shè)備的識(shí)別過程及實(shí)例——NAND Flash

　　驅(qū)動(dòng)程序識(shí)別設(shè)備時(shí)，有以下兩種方法：　　(1)驅(qū)動(dòng)程序本身帶有設(shè)備信息，比如開始地址、中斷號(hào)等;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，就可以根據(jù)這些信息來識(shí)別設(shè)備?！　?2)驅(qū)動(dòng)程序本身沒有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，將驅(qū)動(dòng)程序與這些設(shè)備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動(dòng)程序與某個(gè)設(shè)備匹配，就可以通過該驅(qū)動(dòng)程序來操作這個(gè)設(shè)備了。　　內(nèi)核常使用第二種方法來識(shí)別設(shè)備，這可以將各種設(shè)備集中在一個(gè)文件中管理，當(dāng)開發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谒募靖黜?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢樹

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長(zhǎng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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SSD價(jià)格2016年來首度大漲，明年第一季價(jià)格估將持續(xù)走升

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價(jià)近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達(dá)6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營(yíng)的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預(yù)估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持
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GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過程分析

在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習(xí)了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
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中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形各自進(jìn)擊

　　早前報(bào)導(dǎo)，中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評(píng)結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長(zhǎng)鑫的環(huán)評(píng)公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測(cè)試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)暢旺東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估

　　根據(jù)彭博社的報(bào)導(dǎo)，受惠于于儲(chǔ)存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營(yíng)收成長(zhǎng)，加上撙節(jié)計(jì)畫的奏效，日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益上調(diào) 36%，來到 950 億日?qǐng)A (約新臺(tái)幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營(yíng)低潮期。　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營(yíng)業(yè)利益之外，還同時(shí)微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營(yíng)收，從 2.55 兆日?qǐng)A上調(diào)至 2.58 兆日?qǐng)A。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計(jì)資料顯示
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流

　　慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計(jì)保駕護(hù)航　　以相同的成本，卻能達(dá)到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對(duì)3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入，預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長(zhǎng)的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場(chǎng)。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(zhǎng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場(chǎng)的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級(jí)的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導(dǎo) SRIO 網(wǎng)絡(luò)

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)