nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

關(guān)于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時間以來，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲設備的大幅度一致性漲價，影響著存儲設備漲價的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內(nèi)人士，反復解讀。　　那么，在價格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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如何將“壞塊”進行有效利用

　　被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器

2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。　　　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領(lǐng)域。　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

摘要在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備E
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機 Flash

關(guān)于單片機中的flash和eeprom

FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構(gòu)成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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西數(shù)超車三星電子或點燃NAND價格戰(zhàn)

　　全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。　　巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱，當前三星在業(yè)界握有主導權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
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第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯價格續(xù)揚

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
關(guān)鍵字： NAND 服務器

TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續(xù)揚

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
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未來半導體業(yè)進入五大轉(zhuǎn)折新興驅(qū)動力具獨特優(yōu)勢

未來半導體進入五大轉(zhuǎn)折，包括邏輯芯片制程技術(shù)推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應芯片愈來愈小，制圖成型依賴愈來愈高;移動設備導入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導體產(chǎn)業(yè)。
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JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用

JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
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打破半導體存儲器產(chǎn)業(yè)三強鼎立局面的機會何在？

半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]