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            從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

            • 在上一個(gè)帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個(gè)最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)。
            • 關(guān)鍵字: MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  

            從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1

            • 在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中,我將簡(jiǎn)短地介紹構(gòu)成CPU的零件,一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì),這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world,并且略微提到Hello world的幾種變體。
            • 關(guān)鍵字: CPU  IC設(shè)計(jì)  單晶硅  MOS    

            研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙

            •   韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。   由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應(yīng),大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后,已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
            • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

            汽車啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

            • 為了限制油耗,一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

            如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

            • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
            • 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

            經(jīng)典FET輸入甲類前級(jí)

            • 經(jīng)典FET輸入甲類前級(jí)本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級(jí)純A類分立件前級(jí)放大 ...
            • 關(guān)鍵字: FET  甲類前級(jí)  

            車載筆記本電源的設(shè)計(jì)制作

            • 此電源有兩種,輸入電壓不同分為12V和24V兩種,輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖,此電路屬升壓型...
            • 關(guān)鍵字: 車載筆記本  MOS  IC器件  

            eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

            • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng),為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電,這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
            • 關(guān)鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉(zhuǎn)換器  

            正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

            • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個(gè)過渡階...
            • 關(guān)鍵字: 同步降壓  FET  時(shí)序設(shè)計(jì)  

            SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

            • 引言:為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約,半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu),稱為...
            • 關(guān)鍵字: SJ-MOS  VDMOS  

            電源設(shè)計(jì)小貼士46:正確地同步降壓FET時(shí)序

            • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個(gè)過渡階段:低...
            • 關(guān)鍵字: FET    MOSFET    電源設(shè)計(jì)小貼士    德州儀器  

            電源設(shè)計(jì):正確地同步降壓 FET 時(shí)序

            • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個(gè)過渡階段:低...
            • 關(guān)鍵字: 電源設(shè)計(jì)  同步降壓  FET  時(shí)序  

            X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

            • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量,也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
            • 關(guān)鍵字: X-FAB  XT018  MOS  

            德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)

            • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
            • 關(guān)鍵字: TI  TPS27081A  FET  

            將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器

            • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
            • 關(guān)鍵字: FET  光電  電位器  光耦    
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