- 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導通時的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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驅動 電路 脈沖 發(fā)光二極管 C-MOS 與非門 采用
- 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級,但一個等級內仍有差別,如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時,
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VOO 檢驗 VP FET 結合 使用 萬用表
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當,容易停振或
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
- 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
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FET 輸入 OP放大器 模擬定時電路
- 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路,R用高阻值,便可加長CR時間常數(shù),但是,由于內部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門限電壓,比較器無法驅動,為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片,選用高阻
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電路 定時 C-MOS 時間 設定
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運算與幅度調制(AM)等效,可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算電路
- 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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FET 結型 電壓控制 放大器
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友達光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協(xié)議,收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術,該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中,將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明,以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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友達 FED FET
- 臺灣友達科技近日宣布,他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議,友達將出資收購FET公司的部分資產,并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據(jù)領先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示,其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利,F(xiàn)ED技術實施方案,以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢,其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
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友達 FED FET
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結,2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%,但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
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GaAs 外延襯底 FET HBT
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器,該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合,可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器,與同類競爭產品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時,還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制,幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求,從而可實現(xiàn)整個負載范圍內的高
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TI FET 轉換器 TPS51315
- 2008年,受到全球半導體市場衰退的影響,中國集成電路產業(yè)由前幾年的較快增長轉變?yōu)橄禄1M管中國以內需市場為主的集成電路設計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長,但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新,知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產權保護形式,集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。
最近,中國半導體行業(yè)協(xié)會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告,本期刊登部分節(jié)選,供業(yè)界研究參考。
本報告數(shù)據(jù)
- 關鍵字:
NEC MOS 集成電路布圖設計
- 2009年1月22日,中國北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領先的高性能信號處理解決方案供應商,最新推出一款業(yè)界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz,設計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比,可提供兩倍的帶寬,同時噪聲降低一半。它已被領先的醫(yī)療、測試和測量設備公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設備。與ADA4
- 關鍵字:
ADI 運算放大器 FET ADA4817
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
- 關鍵字:
FET TI IC-bq2407x
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