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            MOS-FET與電子管OTL功放的制作

            MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

            • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
            • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

            MOS—FET甲乙類功率放大器

            MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(三)

            • 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對NMOS...
            • 關(guān)鍵字: MOS  驅(qū)動(dòng)電路  

            MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(二)

            • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于...
            • 關(guān)鍵字: MOS  

            MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載(一)

            • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
            • 關(guān)鍵字: MOS  

            TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

            • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
            • 關(guān)鍵字: FET  

            手把手教你讀懂FET選取合適器件

            • 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
            • 關(guān)鍵字: FET  

            MOSFET分析:選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

            • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
            • 關(guān)鍵字: mos  

            MOSEFT分析:理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

            • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知...
            • 關(guān)鍵字: mos/開關(guān)損耗  

            CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

            •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
            • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

            開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

            • 對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做
            • 關(guān)鍵字: 吸收  回路  RCD  管反峰  設(shè)計(jì)  MOS  開關(guān)電源  

            如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

            •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
            • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

            MOS-FET開關(guān)電路

            • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
            • 關(guān)鍵字: MOS-FET  開關(guān)電路    

            J-FET開關(guān)電路工作原理

            • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
            • 關(guān)鍵字: J-FET  開關(guān)電路  工作原理    
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            mos—fet介紹

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