- 發(fā)光二極管就是俗稱的LED,由于較容易入門且普及率高,很多新手在進行入門學習時經(jīng)常會選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對發(fā)光二極管與MOS之間的特定關系
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發(fā)光二極管 MOS 電流
- 在大功率電源當中,MOS器件的消耗至關重要。其很有可能關系到電源的整體效率。在之前的文章中,小編為大家介紹了一些功率耗散的方法,在本文中,小編將
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同步整流器 MOS 功率
- 智能集成電機驅動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅動器結合驅動電機所需的一切要素,如場效應晶體管(FET)、柵極驅動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長,并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點。 BLDC電機在汽車應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅動器 集成智能系列博
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BLDC FET
- 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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FET 雙極性晶體管 緩沖電路 寬帶
- 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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FET TPS22963 德州儀器 反向電流
- 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
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電池管理系統(tǒng) FET FET驅動器
- 如何設計防反接保護電路?-利用MOS管的開關特性,控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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mos
- 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數(shù)對電源設計工程師至關重要。
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MOS 電源
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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MOS FinFET
- 作為工作于開關狀態(tài)的能量轉換裝置,開關電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
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EMI 開關電源 MOS
- 如同摩爾定律所述,數(shù)十年來,芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知,這種高速成長的趨勢總有一天會結束,只是不知道當這一刻來臨時,芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術的發(fā)展,芯片密度不斷增加,而閘級氧化層寬度不斷減少,超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制,天線效應便是其中之一。
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IC設計 天線 天線效應 充電損害 MOS
- 在開關電源電路設計當中,電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉換,是指將一個電壓值轉化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開關電源當中非常常見,也是新手接觸比較多一種電路設計,本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區(qū)別。
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DC-DC MOS 同步 開關電源 非同步
- 與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
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FET 放大電路
- 該電路采用衰減場效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
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FET 壓控衰減器
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