- 半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。
據IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。
另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
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EUV 光刻 450mm
- 2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。
人們談論EUV的各種技術問題已歷時數年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
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ASML EUV 22nm
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經理，他將直接對張忠謀董事長負責。
這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經理，帶領研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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臺積電 40納米 HKMG EUV
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統(tǒng)。該公司已使EUV光學系統(tǒng)達到了生產要求。
光學系統(tǒng)是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產效率。
據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統(tǒng)已經研發(fā)了約15年。
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ASML EUV 光刻設備
- 對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
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消費電子 EUV 電子束 消費電子
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