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日媒:三星最高利潤背后的危機感
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- 韓國三星電子2017財年(截至2017年12月)合并營業(yè)利潤創(chuàng)下歷史新高,但其危機感正在加劇。三星1月31日發(fā)布的財報顯示,營業(yè)利潤同比增長83%,其中僅半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利就增至上年的2.6倍,約合3.5萬億日元,顯著依賴市場行情,因此危機感增強。3大主要部門面臨著半導(dǎo)體增長放緩等課題。三星能否在新經(jīng)營團隊的領(lǐng)導(dǎo)下,將智能手機和電視機的自主技術(shù)培育成新的收益源? 2018財年將成為試金石。 三星整體的營業(yè)利潤為53.65萬億韓元,時隔4年再創(chuàng)歷史新高。其中,半導(dǎo)體部門的服務(wù)器和智能手機存儲銷量堅挺,
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EUV微影前進7nm制程,5nm仍存在挑戰(zhàn)
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201801/e46b5ae692090c0527c785e7e400f508.jpg)
- EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過,根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示,實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過,根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示,實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
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4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰(zhàn),7nm制程預(yù)料由臺積電勝出,4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報道稱,三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備,又投入研發(fā)能取代「鰭式場效晶體管」(FinFET)的新技術(shù),目前看來似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報導(dǎo),制程不斷微縮,傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限,無法解決更精密的曝光顯像需求,必須改用波長更短的EUV, 才能準確刻蝕電路圖。 5nm以下制程,EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時,就會率先采用EUV,這有如讓三星在6nm以下的競
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EUV面臨的問題和權(quán)衡
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- 新的光刻工具將在5nm需要,但薄膜,阻抗和正常運行時間仍然存在問題。 Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù),但這個談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前,仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。 EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段。 如今,GlobalFoundries,英特爾,三星和臺積電相互競爭,將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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張忠謀:臺積電南京廠明年下半量產(chǎn)
- 臺積電(2330)南京廠今日上午正式舉行進機典禮,由董事長張忠謀親自主持,大陸中央及地方貴賓云集,顯示對臺積電南京投資案重視。 海思及聯(lián)發(fā)科將是首批客戶 張忠謀表示,大陸集成電路在中國制造,臺積電可助一臂之力。 南京廠預(yù)計2018年下半年量產(chǎn),陸媒預(yù)估中國海思及聯(lián)發(fā)科(2454)將是首批客戶。 工程師已陸續(xù)由臺灣進駐 今年上半年臺積電工程師已經(jīng)陸續(xù)由臺灣進駐南京廠協(xié)助建廠事宜,8月16奈米大型機臺陸續(xù)透過華航包機,由臺灣運往南京祿口機場,而南京市政府為了迎接重量級貴賓,加快浦口
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KLA-Tencor宣布推出針對光學(xué)和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM產(chǎn)品線
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- 今天,KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測產(chǎn)品線。自從1978年公司推出第一臺檢測系統(tǒng)以來,KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應(yīng)商,新的FlashScan產(chǎn)品線宣告公司進入專用空白光罩的檢驗市場。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統(tǒng),用于工藝開發(fā)和批量生產(chǎn)過程中的缺陷檢測,此外,光罩制造商(“光罩廠”)為了進行光罩原料檢測,設(shè)備監(jiān)控和進程控制也需要購買該檢測系統(tǒng)。 FlashScan系統(tǒng)可以檢查針對光學(xué)或極紫外(EUV)光刻的空白光罩?!?/li>
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EUV在手天下我有 ASML二季度表現(xiàn)亮眼
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- 全球最大芯片光刻設(shè)備市場供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財報。ASML第二季營收凈額21億歐元,毛利率為45%。在第二季新增8臺EUV系統(tǒng)訂單,讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺,總值高達28億歐元。 預(yù)估2017第三季營收凈額約為22億歐元,毛利率約為43%。因為市場需求和第二季的強勁財務(wù)表現(xiàn),ASML預(yù)估2017全年營收成長可達25%。 ASML總裁暨執(zhí)行長溫彼得指出:“ASML今年的主要營收貢獻來自內(nèi)存芯片客戶,尤其在DRAM市場需求的驅(qū)動下,這部分的
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三星領(lǐng)先臺積電引入7納米EUV技術(shù),今年代工市場欲超車聯(lián)電
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,7月11日,韓國三星電子在首爾舉行的說明會上,向客戶等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù),從2018年開始量產(chǎn)。此次說明會上,三星展示了發(fā)展藍圖,記載了決定性能好壞的電路線寬的微細化進程。三星表示,采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計劃從2018年開始接單,5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率,7納米以下的產(chǎn)品曾被認為難以實現(xiàn)商用化,而EUV是
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