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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計
- 摘 要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結(jié)構(gòu)，給出。IPM的外圍驅(qū)動電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IPM：電路設(shè)計；PM200DSA060；逆變器 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計 PM200DSA060 模擬IC 電源
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
一種延遲電路在變頻控制中的應(yīng)用
- 摘 要：本文主要介紹一個由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用，解決了原有芯片死區(qū)時間不確定的問題。關(guān)鍵詞：延遲電路；IPM；死區(qū)時間 變頻控制死區(qū)時間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號，在導(dǎo)通時序上，控制同一通道的上下兩路信號不能出現(xiàn)同時導(dǎo)通的情況，如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個IGBT不能同時導(dǎo)通，如果同時導(dǎo)通，輕則引起IPM的工作保護(hù)，造成停機(jī)，重則將IPM模塊擊
- 關(guān)鍵字： IPM 死區(qū)時間 延遲電路
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