- 隨著大功率開關(guān)器件制造技術(shù)和計算機技術(shù)的迅猛發(fā)展，交流電機的變頻調(diào)速在一般工業(yè)領(lǐng)域以至許多民用領(lǐng)域中已得到廣泛應(yīng)用。在節(jié)能、減少維修、提高產(chǎn)品產(chǎn)量及產(chǎn)品質(zhì)量等方面都取得了明顯的經(jīng)濟效益。目前，高性能交
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變頻調(diào)速 系統(tǒng) 組成 模塊 IPM 87C196MC
- 摘要：為了實現(xiàn)水下自主式機器人的控制，設(shè)計了一種基于IPM模塊的舵機控制電路。該電路將舵機控制信號與舵機位置反饋信號比較獲得的直流偏置電壓信號作為脈寬調(diào)制芯片UC1637的輸入信號。UC1637根據(jù)輸入直流偏置電壓信
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電路設(shè)計 控制 模塊 IPM 基于
- IPM智能功率模塊 IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模塊，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動電路集成在一 ...
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IPM
- 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
- 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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GaN LED
- 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
- 實現(xiàn)自舉有兩個關(guān)鍵問題：一是自舉電容的初始充電;二是自舉電容充完電后，當下臂關(guān)斷后上臂并未立即導(dǎo)通，而在從下臂關(guān)斷到上臂導(dǎo)通期間，電容會放電，因此必須保證少量放電后電容電壓仍有驅(qū)動能力。如果以上兩個問題
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IPM 自舉電路
- 1 前言 變頻器已應(yīng)用于各行各業(yè)的多種設(shè)備,并成為當今節(jié)電,改造傳統(tǒng)工業(yè),改善工藝流程,提高生產(chǎn)過程自動化水平,提高產(chǎn)品質(zhì)量,改善環(huán)境的主要技術(shù)之一。 開關(guān)器件是變頻器的核心器件,絕緣柵雙極型品體管(ICBT)
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實用 電路 變頻器 通用 模塊 實現(xiàn) IPM
- 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 三菱電機攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日于上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊，大受廠家歡迎。
受到近幾年環(huán)保意識提高的影響，混合動力汽車和電動汽車等市場不斷擴大。由于對汽車有著很高的安全性要求，因而對用于汽車馬達驅(qū)動的功率半導(dǎo)體模塊，
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三菱 EV-IPM EV T-PM
- 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
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設(shè)計 探測器 紅外 量子 GaN
- 過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應(yīng)馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟
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三相 感應(yīng) 馬達 IM 驅(qū)動 IPM 智能 功率 模塊 利用
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