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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計 功率放大器 GaN 一種
GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
TMS32OF2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： TMS32OF2812 DSP DIP-IPM 通用電路
TMS320F2812與DIP-IPM的通用電路設(shè)計
- 關(guān)鍵字： DSP DIP-IPM SPWM 變頻調(diào)速
基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設(shè)計
- 摘要：介紹一種基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設(shè)計。該系統(tǒng)采用“自舉”電路，采用DSP直接驅(qū)動IPM，結(jié)構(gòu)緊湊。該系統(tǒng)已投入批量生產(chǎn)，并經(jīng)過數(shù)年連續(xù)運行。實際運行表明，該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠，滿足使用要求。 關(guān)鍵詞：DSP；IPM；變頻調(diào)速；硬件 引言 變頻調(diào)速技術(shù)廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域。隨著電力電子控制技術(shù)及元器件的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速系統(tǒng)的集成度、智能化程度越來越高，硬件構(gòu)成也越來越緊湊、簡單。DSP(數(shù)字信號處理器)＋I(xiàn)PM（智能功率模塊）就是變頻調(diào)速系統(tǒng)最新的發(fā)展方向之一
- 關(guān)鍵字： DSP IPM 200812
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
- 關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端
用于控制變速電動機的功率模塊
- 改善洗衣機、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉(zhuǎn)速馬達(dá)轉(zhuǎn)換到變速馬達(dá)可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設(shè)計的難度較大，雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來降低此類項目的數(shù)字設(shè)計工作難度，但是設(shè)計人員仍需要集成模塊和相關(guān)的設(shè)計工具來促進(jìn)功率級的設(shè)計。 為了使低成本變速馬達(dá)控制器成為可能，元器件供應(yīng)商設(shè)法通過簡化設(shè)計和降低結(jié)構(gòu)復(fù)雜度來減少變速控制器的成本。例如，已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號控制平臺，它們結(jié)合了DSP和集成PWM和馬達(dá)控制外圍設(shè)備的RISC處理器。這些平臺可運行第三方或者自行開發(fā)
- 關(guān)鍵字： 電動機 IPM DSP PWM 馬達(dá)
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
- 關(guān)鍵字： 三極管 WiMAX Cree GaN
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