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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

            宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

            •   氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過98%的效率。   宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
            • 關(guān)鍵字: 宜普  EPC  MOSFET  

            EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機(jī)遇

            •   功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新,硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年,現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn),而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品,并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT,搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。   增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件,其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  EPC  eGaN  201406  

            基于場效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計(jì)

            • 摘要:用場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)出有膽味的音頻功率放大器。前級(jí)采用單管、甲類,后級(jí)采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實(shí)驗(yàn)證明差分放大器使用的對(duì)管的一致性與整機(jī)的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看,末級(jí)電流200mA是理想值。 前后級(jí)間耦合電容對(duì)聽音影響較大,要求質(zhì)量高些。 對(duì)于音頻功率放大器而言,最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果,由集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的前級(jí)聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級(jí)采用單管甲類放大器,后級(jí)采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
            • 關(guān)鍵字: FET  場效應(yīng)管  功率放大器  

            用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)的幾種方法

            • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會(huì)耗掉很多的能源,不僅浪費(fèi)還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨(dú)特的工程技術(shù)挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計(jì)。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實(shí)現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會(huì)在汽車停下來時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī),當(dāng)腳從剎車踏板移動(dòng)
            • 關(guān)鍵字: P-FET  MOSFET  

            新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計(jì)問題

            • 新型靈活應(yīng)用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進(jìn)了對(duì)更高功率電源的要求,以及由于需要快速實(shí)現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計(jì)人員縮短開發(fā)周期,從而對(duì)全功能、快速實(shí)現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢(shì)。電源模塊可以解決這些問題,并提供系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
            • 關(guān)鍵字: 新電源  FET  ISL8225  

            Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負(fù)載開關(guān)

            •   2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負(fù)載開關(guān)每條通道最高電流可達(dá)到?4.5A?、總電流高達(dá)9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
            • 關(guān)鍵字: Silego  FET  SLG59M1527V  

            導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)

            • 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率,半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體(FET);其中,采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
            • 關(guān)鍵字: Cascode  GaN  場效應(yīng)管  

            英飛凌:GaN功率元件前景雖好,但采用為時(shí)尚早

            • GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件,被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日,來自英飛凌的MarkMuenzer表示,其前景雖好,但是還沒到廣泛使用的時(shí)候,因它還有很多未被探索出來的部分。
            • 關(guān)鍵字: GaN.功率元件  

            新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

            •   與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。   SiC功率半導(dǎo)體方面,在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

            元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

            •   與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加,同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。   SiC功率半導(dǎo)體方面,在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型,尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一,因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后,采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
            • 關(guān)鍵字: GaN  功率半導(dǎo)體  

            研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現(xiàn)石墨烯能隙

            •   韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實(shí)現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設(shè)計(jì)。   由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應(yīng),大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)后,已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
            • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

            汽車啟動(dòng)/停止系統(tǒng)電源方案

            • 為了限制油耗,一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時(shí),這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

            如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

            • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
            • 關(guān)鍵字: 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

            解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

            • 發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源,耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%,并具有體積小、壽命長、效率高、不...
            • 關(guān)鍵字: GaN  on  GaN  LED    

            陽光電源西部搶裝拉動(dòng)EPC與逆變器業(yè)務(wù)

            •   陽光電源公司發(fā)布2013年三季度業(yè)績預(yù)告:歸屬于母公司凈利潤1.05~1.18億元,同比增漲70~90%,前三季度EPS為0.32~0.36元,非經(jīng)常性損益0.42億,主要包括募集資金利息收入及政府補(bǔ)助。第三季度EPS為0.15~0.19元。   點(diǎn)評(píng)分析:   公司三季度業(yè)績超市場預(yù)期。主要原因是在8月底國內(nèi)光伏補(bǔ)貼政策落實(shí),并且明確西部地區(qū)的集中式電站標(biāo)桿電價(jià)將在明年下調(diào),西部地面電站出現(xiàn)搶裝潮,對(duì)國內(nèi)公司逆變器及電站EPC兩大主業(yè)都有非常強(qiáng)的拉動(dòng)作用。   由于四季度仍然是全年收入確認(rèn)高峰
            • 關(guān)鍵字: EPC  逆變器  
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            epc gan fet介紹

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