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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

            Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

            • 簡介   一提到電源設(shè)計,大多數(shù)工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
            • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

            硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

            • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來,LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
            • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

            硅襯底上GaN基LED的研制進展

            • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
            • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

            TDK-EPC掌控所有熱點的SMD-PTC解決方案

            • 相對于標(biāo)準(zhǔn)系列,新元件采用了更為均質(zhì)的陶瓷材料,在提高穩(wěn)定性的同時,還允許高達280℃的回流焊接和波峰焊接加工。憑借上述性能,超級系列PTC產(chǎn)品已通過AEC-Q200 Rev-C標(biāo)準(zhǔn)驗證,可滿足汽車電子應(yīng)用的苛刻要求。

            • 關(guān)鍵字: TDK-EPC  SMD-PTC  方案    

            一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

            • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點,使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點,使用了Agilent ADS等仿真軟件,進行電路仿真設(shè)計,設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
            • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

            GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

            • 摘要:為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN  

            基于RFID的EPC中間件的設(shè)計

            • 摘要:本文簡述了物聯(lián)網(wǎng)EPC技術(shù)并分析了Savant中間件軟件系統(tǒng)的主要功能和框架結(jié)構(gòu)。在深入研究EPCgloabal后,借鑒EPCgloabl的中間件標(biāo)準(zhǔn)ALE,給出了一種Savant中間件軟件系統(tǒng)的設(shè)計思路,并從邏輯上驗證了該系統(tǒng)的完
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  中間件  EPC  RFID  基于  

            TDK-EPC:服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案

            • TDK-EPC:服務(wù)鐵路應(yīng)用的產(chǎn)品與解決方案2009年生產(chǎn)電子元件的兩大巨頭日本TDK與德國愛普科斯合并,TDK在消費電...
            • 關(guān)鍵字: TDK  EPC  

            MOS-FET與電子管OTL功放的制作

            MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

            • MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
            • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

            MOS—FET甲乙類功率放大器

            TI 小貼士:圖例理FET知識

            • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
            • 關(guān)鍵字: FET  

            手把手教你讀懂FET選取合適器件

            • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個開關(guān)...
            • 關(guān)鍵字: FET  

            CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

            •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.   
            • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

            一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

            • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結(jié)果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  功率放大器  GaN  一種  
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            epc gan fet介紹

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