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TI 小貼士:圖例理FET知識
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手把手教你讀懂FET選取合適器件
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
![](http://editerupload.eepw.com.cn/fetch/20130905/166546_1_0.jpg)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結(jié)果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計 功率放大器 GaN 一種
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