- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
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電源設計 同步降壓 FET 時序
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關的最靈活替代產(chǎn)品。
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TI TPS27081A FET
- 0 前言無線網(wǎng)絡架構演進到LTE/EPC架構時，網(wǎng)絡變得更加得扁平，信令消息直接在eNodeB和MME之間傳遞，沒有RNC來收斂匯聚，隨著LTE部署規(guī)模的擴大，一個MME要控制上萬個eNodeB，和這么多eNodeB進行信令交互，MME的壓力
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方案 抑制 風暴 網(wǎng)絡 LTE/EPC
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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智能手機 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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FET 光電 電位器 光耦
- 在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?！ C/DC平均系統(tǒng)
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- 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合，包括電池供電存儲器電...
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GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
- 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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科銳 放大器 GaN
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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緩沖 方法 進行 電壓 FET 關斷 轉換器
- 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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