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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
- 關鍵字： TI GaN
基于EPC的eGaN FET、采用高頻同步自舉拓撲結(jié)構(gòu)，工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發(fā)板
- EPC公司的全新開發(fā)板可以被配置為一個降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS?D類放大器，展示出基于eGaN?FET、采用同步自舉電路的柵極驅(qū)動器在高頻工作時可以減少損耗。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開發(fā)板，可以被配置為一個降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS?D類放大器。這些開發(fā)板專為功率系統(tǒng)設計師而設，對氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進行評估方面提供了簡易方法，使得設計師的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。三塊開發(fā)板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的柵極驅(qū)動器，從而在高達1
- 關鍵字： EPC EPC9066
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
- 關鍵字： 宜普電源 FET
波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
- 關鍵字： GaN 場效應晶體管
新型GaN功率器件的市場應用趨勢
- 第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
- 關鍵字： GaN 功率器件
物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商？
- 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
- 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) GaN
實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案
- 簡介 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 使用壽命預測指標 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
- 關鍵字： GaN
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