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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

            制造能耗變革從新一代半導體開始

            •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

            GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

            •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
            • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

            5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

            • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
            • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

            世強聯(lián)手EPC,合力布局國內(nèi)GaN功率器件市場

            •   世強宣布與基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)簽約合作,作為EPC中國區(qū)代理,銷售其全線產(chǎn)品?! ?jù)悉,EPC(宜普電源轉(zhuǎn)換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司,其目標應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、無線充電,自動駕駛、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(LiDAR)及D類音頻放大器等,GaN器件在速度,損耗,效率等性能上比硅材料的功率器件優(yōu)越很多?! ⊥ㄟ^增強型氮化鎵技術(shù),不僅可以提高電源效率,還可以
            • 關(guān)鍵字: 世強  EPC  

            2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

            •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導體材料襯底的外延生長,是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
            • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

            張文賓加入宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)擔任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁

            •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布張文賓(Roy Chang)加人管理團隊,擔任大中華及東南亞區(qū)銷售副總裁職位,支持亞太區(qū)業(yè)務(wù)高速增長。張先生在計算機及半導體行業(yè)擁有超過20年的研發(fā)、技術(shù)銷售和市場營銷的經(jīng)驗。他的主要職責是制定及執(zhí)行銷售策略以達到公司在大中華及東南亞區(qū)的銷售目標。張先生的主要工作地點為臺灣臺北市?! 埾壬诩尤胍似展局盀門ransphorm公司的臺灣銷售副總裁。之前,他在Acer及德州儀器擔任研發(fā)、技術(shù)銷售、銷售及市場營銷等管理職位?! PC全球銷售及市場營銷高級副總裁
            • 關(guān)鍵字: EPC  宜普電源  

            EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓撲結(jié)構(gòu)

            •   宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商,基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器,而在接收端無論是采用什么標準,也可以實現(xiàn)無線充電?! ∥覀冋\摯邀請工程師蒞臨中國上海,出席于2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉(zhuǎn)換與智能運動研討會)。屆時EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
            • 關(guān)鍵字: EPC  eGaN   

            趁著第三代半導體的東風,紫外LED要做弄潮兒

            • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
            • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

            GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

            • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
            • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

            第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

            • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
            • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

            FET知識:采用結(jié)型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

            •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。  最一般的源極接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
            • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

            MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢

            •   MACOM是半導體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值,致力于構(gòu)筑更加美好的世界。   在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
            • 關(guān)鍵字: MACOM  GaN  

            汽車功率元器件市場前景廣闊

            •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

            前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應(yīng)用

            •   相較于過去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實現(xiàn)更高的效率。   電源供應(yīng)設(shè)計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計至電源解決方案中,進而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進行了數(shù)百萬小時的加速測試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。   GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手,它能夠在保持或提
            • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

            汽車功率元器件市場前景廣闊

            •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  
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            epc gan fet介紹

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