- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實其DG92xx系列CMOS模擬開關和多路復用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點,可用于高速、高精度開關應用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
- T博士:嘿,Dave最近好嗎?懷念過去的美好時光吧?
Dave:事實上,是這樣,你勾起了我對往昔情愫的懷念。
T博士:真的嗎?講給我聽聽。
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Intersil CMOS
- 在現(xiàn)代開關電源的控制電路中,振蕩器target=_blank>振蕩器對模擬電路和信號處理起著很重要的作用。在多數...
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真隨機數發(fā)生器 CMOS 振蕩器
- 未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預計將以每年兩位數的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術進行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機電式電表復雜,但更加注重測量數據的完
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CMOS 數字隔離器 數據保護 智能電表
- 在過去十年里,CMOS圖像傳感器技術經過連續(xù)改進和不斷提高,已經使其從主要服務于低端市場轉移到一些要求最苛刻的高性能應用。伴隨著這種趨勢,CMOS圖像傳感器已經開始主導圖像傳感器市場,并為原始設備制造商(OEM)
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提供 巨大 大市 機遇 應用 多種 圖像 傳感器 主導 CMOS
- 近年來,隨著CMOS工藝技術的不斷改進,CMOS傳感器的應用范圍也越來越廣泛,包括數碼相機、電腦攝像頭、視頻電話、手機、視頻會議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達、玩具,以及工業(yè)、醫(yī)療等應有盡有。實際上,CMOS
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CMOS 圖像 傳感器 方案 半導體 安森美 工業(yè) 醫(yī)療 應用
- 東芝在半導體業(yè)務中提出了新戰(zhàn)略。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業(yè)務實力,應用于其他半導體業(yè)務。具體做法是在分離式半導體業(yè)務、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務、以及與硬盤業(yè)務進行了整合的存儲產品業(yè)務中,應用在存儲器業(yè)務中積累的制造技術實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務之后的又一支柱業(yè)務。東芝執(zhí)行董事高級常務、東芝半導體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
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東芝 CMOS 傳感器
- 摘要:分析了Gilbert結構有源雙平衡混頻器的工作機理,以及混頻器的轉換增益、線性度與跨導、CMOS溝道尺寸等相關電路參數間的關系,并據此使用ADS軟件進行設計及優(yōu)化。在采用TSMC 0.25mu;m CMOS工藝,射頻信號為2.
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設計 平衡 CMOS ADS 采用
- 1 引言 鋰電池產品以高能量密度、長循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無記憶等優(yōu)異特性占據了市場很大份額。然而,鋰電池產品在充放電過程中的過充電、過放電、放電過電流及其它異常狀態(tài)(例如
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保護 電路設計 電池 聚合物 CMOS 工藝 基于
- 為數億部數碼相機提供SOC解決方案的全球領先供應商卓然公司﹝納斯達克證券交易所代碼:ZRAN﹞日前宣布,其高度集成的COACH 14數碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數碼相機。
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卓然 CMOS COACH 14
- 手機高級功率放大器解決方案的新領軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊,該模塊是世界上最經濟的高性能模塊。利用體效應互補金屬氧化物半導體工藝自身的可擴展性,AdaptiveRF 體系結構可融合高度集成的派生功能,包括交換機和復合濾波器,可不斷大幅降低前端產品的成本、體積和功耗。
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Amalfi CMOS
- LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線...
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LDO PSRR RF電路
- CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術,它們產生于不同的制造工藝背景,就當前技術言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術,便能使圖像監(jiān)控達到預期的效果。另外,還可看到,C
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分析 技術 主要 CMOS CCD
- 摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案,使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路,在此基礎上設計輸入輸出匹配網絡
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
- 摘要:傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案,利用二級管PN結具有負溫度系數的正向電壓和具有正溫度系數的VBE電壓得出具有零溫度系數的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準
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