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GSA硅片代工價格Q2下降
- 按全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA經(jīng)過調(diào)查后的報道，全球2010年Q2的硅片代工價格與上個季度相比下降。 為了支持與促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，一家非盈利組織GSA的報告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價格環(huán)比下降9.5%，而同類的300mm硅片代工價格環(huán)比沒有改變，每片平均仍為3200美元。 據(jù)GSA說，調(diào)查的參與者也報道200mm CMOS工藝的掩模價格下降，在連續(xù)兩個季度價格上升之后，環(huán)比中間價格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價沒有改變，而且已連續(xù)達3個季度。
- 關(guān)鍵字： 硅片 CMOS 200mm
LDO原理結(jié)構(gòu)及應(yīng)用
- LDO的種類 LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點在于，LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)?！ DO按其靜態(tài)耗流來分，分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。 Omn
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 結(jié)構(gòu) 原理 LDO
基于計數(shù)器的隨機單輸入跳變測試序列生成
- 隨著超大規(guī)模集成電路和系統(tǒng)級芯片(SoC)的發(fā)展，集成電路的測試面臨越來越多的困難，尤其在測試模式下的功...
- 關(guān)鍵字： 集成電路測試 內(nèi)建自測試 CMOS 低功耗測試 矢量跳變
俄羅斯國企要求政府封殺同類進口芯片
- 據(jù)路透社援引俄羅斯當(dāng)?shù)貓蠹埖囊粍t報道稱，俄羅斯一家名為Sistema的公司最近呼吁俄羅斯當(dāng)局禁止其對手廠商生產(chǎn)的同類IC芯片產(chǎn)品進口到俄羅斯市場。Sistema目前與意法半導(dǎo)體公司有合作關(guān)系，雙方正在合作生產(chǎn)90nm制程的電視，GPS,手機，電子護照等產(chǎn)品用的IC芯片。這家公司的國企背景深厚，著名的俄羅斯國有半導(dǎo)體企業(yè)俄羅斯納米技術(shù)集團(Rusnano)便是這家公司的大后臺之一，目前Rusnano正在全力支持在俄羅斯國內(nèi)架設(shè)一條90nm制程CMOS產(chǎn)線的項目。據(jù)《俄羅斯日報》報道，俄羅斯總理普京9月2
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傳感器技術(shù)面臨新型突破
- 日前，瑞典皇家科學(xué)院宣布，博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學(xué)獎。CCD圖像傳感器如今已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于數(shù)碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業(yè)領(lǐng)域以及醫(yī)學(xué)設(shè)備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規(guī)模增長，八十年代開始出現(xiàn)的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數(shù)碼相機等CCD傳統(tǒng)應(yīng)用市場。 圖像傳感器領(lǐng)域的這一變化只是傳感器技術(shù)變化的一個縮影。傳感器技術(shù)的最大特點就是不斷引入多學(xué)科的新技術(shù)發(fā)展新功能，現(xiàn)在，隨著電子、M
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Micrel 120V高壓LDO MAQ5280特征及應(yīng)用介紹
- Micrel公司是全球模擬、高帶寬通信和以太網(wǎng)集成電路解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，該公司于2008年推出了業(yè)界第一款汽車級應(yīng)用的120V LDO——MAQ5280。 MAQ5280的結(jié)構(gòu)及特征 MAQ5280內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由兩部分組成，如下所示： 輸入電壓比較低的LDO結(jié)構(gòu)如上圖的Post Regulator，輸出電壓經(jīng)過運放采樣后，來控制P型晶體管的導(dǎo)通程度，從而達到穩(wěn)定輸出電壓的目的。 MAQ5280能夠承受的輸入電壓高至120V，所以需要在Post R
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解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向
- 摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中，一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟效益前進。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢，并認為&
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 MEMS CMOS
賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器
- 賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力，并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數(shù)字低壓差分信號(LVDS)輸出，可以允許圖像數(shù)據(jù)通過標準的工業(yè)協(xié)議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行，從而實現(xiàn)53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應(yīng)用的理想選擇，適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
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瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)
- 瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 在So
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 SRAM CMOS
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